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光子探头器件采用（）致冷。A、半导体一级B、半导体二级C、半导体三级

题目

光子探头器件采用（）致冷。

  • A、半导体一级
  • B、半导体二级
  • C、半导体三级
相似考题

1.半导体湿度传感器可以分为()。A、元素半导体湿敏器件B、金属氧化物半导体湿敏器件C、多功能半导体陶瓷湿度传感器D、MOSFET湿敏器件E、结型湿敏器件

2.132）半导体具有热敏特性、电敏特性和掺杂特性，利用这些特性可以制成各种不同用途的半导体器件。（ ）

3.半导体管图示仪对半导体器件进行测量时的同时，在示波管屏幕上可显示出各种半导体的（）A、性能参数B、转移特性C、内部性能D、特性曲线

4.半导体管图示仪对半导体器件进行测量的同时,在示波管屏幕上可显示出各种半导体器件的()。A.性能参数B.转移特性C.内部性能D.特性曲线

参考答案和解析
正确答案:B
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  • 第1题：

    利用半导体的光电效应制成的器件叫半导体器件。


    正确答案:正确

  • 第2题：

    不论P型半导体还是N型半导体，就半导体器件来说都是带电的。


    正确答案:错误

  • 第3题：

    半导体管图示仪对半导体器件进行测量的同时，在示波管屏幕上可显示出各种半导体器件的（）。

    • A、性能参数
    • B、转移特性
    • C、内部性能
    • D、特性曲线

    正确答案:D

  • 第4题：

    整流所用的半导体器件特性是（）。


    正确答案:单向导电

  • 第5题：

    什么叫半导体？常用的半导体器件有哪些？


    正确答案: 导电性能介于导体和半导体之间的物质均称为半导体。常用的半导体器件有二极管（稳压二极管）三极管（整流三极管）晶闸管（即可控硅）集成电路等。

  • 第6题：

    HTK型光子探头的主要光子器件采用HgCdTe（锑镉汞）核心元件，采用密闭充氮三级半导体制冷，工作环境低于环温（）。

    • A、60℃
    • B、70℃
    • C、80℃
    • D、90℃

    正确答案:B

  • 第7题：

    在本征半导体中掺入杂质的目的是（）。

    • A、提高半导体的导电能力 
    • B、降低半导体的导电能力 
    • C、制造出合乎要求的半导体材料，用来生产半导体器件 
    • D、产生PN结

    正确答案:A

  • 第8题：

    THDS-C探测站，光子探头的红外器件的工作特性是（）。

    • A、真空充氮密封
    • B、采用双浸热敏元件
    • C、三级半导体制冷
    • D、二级半导制冷
    • E、一级半导制冷

    正确答案:A,C

  • 第9题：

    半导体二级管是用一个PN结制成的半导体器件，它的最基本性质是双向导电性。


    正确答案:错误

  • 第10题：

    晶体管是电流控制型半导体器件，而场效应晶体管则是电压型控制半导体器件。


    正确答案:正确

  • 第11题：

    判断题
    逆变器的功率半导体器件采用IGBT。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    多选题
    THDS-C探测站，光子探头的红外器件的工作特性是（）。
    A

    真空充氮密封

    B

    采用双浸热敏元件

    C

    三级半导体制冷

    D

    二级半导制冷

    E

    一级半导制冷


    正确答案： A,C
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    整流电路主要是利用（）实现的。

    • A、半导体器件的单向导电性
    • B、半导体器件的电容效应
    • C、半导体器件的击穿特性
    • D、半导体器件的温度敏感性

    正确答案:A

  • 第14题：

    （）都不能单独构成半导体器件，PN结才是构成半导体器件的基本单元。

    • A、本征半导体
    • B、P型半导体
    • C、N型半导体
    • D、NPN型半导体

    正确答案:A,B,C

  • 第15题：

    半导体分立器件如何分类？


    正确答案: 按照习惯，通常把半导体分立器件分成如下类别：
    半导体二极管
    普通二极管：整流二极管、检波二极管、稳压二极管、恒流二极管、开关二极管等；
    特殊二极管：微波二极管、变容二极管、雪崩二极管、SBD、TD、PIN、TVP管等；
    敏感二极管：光敏二极管、热敏二极管、压敏二极管、磁敏二极管；
    发光二极管。
    双极型晶体管
    锗管：高频小功率管（合金型、扩散型），低频大功率管（合金型、台面型）；
    硅管：低频大功率管、大功率高压管（扩散型、扩散台面型、外延型）
    高频小功率管、超高频小功率管、高速开关管（外延平面工艺），低噪声管、微波低噪声管、超β管（外延平面工艺、薄外延、钝化技术）
    高频大功率管、微波功率管（外延平面型、覆盖型、网状结构、复合型）。
    专用器件：单结晶体管、可编程单结晶体管。
    晶闸管
    普通晶闸管、高频快速晶闸管；双向晶闸管、可关断晶闸管（GTO）；
    特殊晶闸管：正反向阻断管、逆导管等。
    场效应晶体管结型硅管：N沟道（外延平面型）、P沟道（双扩散型）、隐埋栅、V沟道（微波大功率）；结型砷化镓管：肖特基势垒栅（微波低噪声、微波大功率）；
    硅MOS耗尽型：N沟道、P沟道；
    硅MOS增强型：N沟道、P沟道。

  • 第16题：

    半导体器件的参数有多种测试方法，但是对半导体管比较完善的测试方法是动态显示法，为此就应选用半导体管特性图示仪。


    正确答案:正确

  • 第17题：

    为什么锗半导体材料最先得到应用，而现在的半导体材料却大都采用硅半导体？


    正确答案:锗比较容易提纯，所以最初发明的半导体三极管是锗制成的。但是，锗的禁带宽度（0.67ev）大约是硅的禁带宽度（1.11ev）的一半，所以硅的电阻率比锗大，而且在较宽的能带中能够更加有效的设置杂质能级，所以后来硅半导体逐渐取代了锗半导体。硅取代锗的另一个原因是硅的表面能够形成一层极薄的二氧化硅绝缘膜，从而能够制备MOS三极管。因此，现在的半导体材料大都采用硅半导体。

  • 第18题：

    逆变器的功率半导体器件采用IGBT。


    正确答案:正确

  • 第19题：

    半导体器件封装材料


    正确答案:32141010

  • 第20题：

    半导体管图示仪在对半导体器件进行测量的同时，在示波管屏幕上可显示出各种半导体器件的（）。

    • A、性能参数
    • B、转移特性
    • C、内部性能
    • D、特性曲线

    正确答案:D

  • 第21题：

    半导体储存器是一种能储存大量（）信息的半导体器件。

    • A、单值
    • B、二值
    • C、三值
    • D、多值

    正确答案:B

  • 第22题：

    P型半导体和N型半导体中都有载流子，但就半导体器件本身都是（）

    • A、不带电的
    • B、带正点的
    • C、带负电的

    正确答案:A

  • 第23题：

    单选题
    HTK型光子探头的主要光子器件采用HgCdTe（锑镉汞）核心元件，采用密闭充氮三级半导体制冷，工作环境低于环温（）。
    A

    60℃

    B

    70℃

    C

    80℃

    D

    90℃


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

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