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单选题抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对——的通透性增加所致()。A Na+、Cl-、K+,尤其是K+B Ca2+K+、Cl-,尤其是Ca2+C Na+、K+,尤其是Na+D K+、Cl-,尤其是C1-E K+、Cl-、Na+,尤其是Cl-

题目
单选题
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对——的通透性增加所致()。
A

Na+、Cl-、K+,尤其是K+

B

Ca2+K+、Cl-,尤其是Ca2+

C

Na+、K+,尤其是Na+

D

K+、Cl-,尤其是C1-

E

K+、Cl-、Na+,尤其是Cl-


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更多“抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对——的通透性增加所致()。”相关问题
  • 第1题:

    突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位

    A.Ca2+

    B.Cl

    C.Na+

    D.K+

    E.Mg2+


    参考答案:B

  • 第2题:

    抑制性突触后电位

    A.是去极化局部电位

    B.是超极化局部电位

    C.具有全或无特征

    D.是突触前膜递质释放减少所致

    E.是突触后膜对Na+通透性增加所致


    正确答案:B

  • 第3题:

    抑制性突触后电位是

    A.去极化局部电位

    B.超极化局部电位

    C.具有全或无特性

    D.突触后膜Na+通透性增加所致

    E.突触前膜递质释放减少所致


    正确答案:B

  • 第4题:

    下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质SXB

    下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是

    A.是局部去极化电位

    B.具有"全或无"性质

    C.是局部超极化电位

    D.由突触前膜递质释放量减少所致

    E.由突触后膜对钠通透性增加所致


    正确答案:C

  • 第5题:

    抑制性突触后电位是

    A.去极化局部电位
    B.超极化局部电位
    C.具有全或无特性
    D.突触后膜Na通透性增加所致
    E.突触前膜递质释放减少所致

    答案:B
    解析:
    抑制性突触后电位是突触前膜释放抑制性递质(抑制性中间神经元释放的递质),导致突触后膜主要对Cl通透性增加,Cl内流产生局部超极化电位。故选B。

  • 第6题:

    抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对( )的通透性增加所致。



    答案:D
    解析:

  • 第7题:

    突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位

    A.Ca2+
    B.Cl-
    C.Na+
    D.K+
    E.Mg2+


    答案:B
    解析:

  • 第8题:

    抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜提高了对()

    • A、Cl-的通透性
    • B、K+的通透性
    • C、Na+的通透性
    • D、Mg2+的通透性

    正确答案:A

  • 第9题:

    抑制性突触后电位()

    • A、是去极化局部电位
    • B、是超极化局部电位
    • C、具有全或无特征
    • D、是突触前膜递质释放减少所致
    • E、是突触后膜对Na通透性增加所致

    正确答案:B

  • 第10题:

    兴奋性突触后电位是由于突触后膜对K+(钾离子)的通透性增加所致


    正确答案:错误

  • 第11题:

    单选题
    产生抑制性突触后电位时,突触后膜对哪种离子通透性升高?(  )
    A

    B

    C

    D

    E


    正确答案: B
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    单选题
    抑制性突触后电位(  )。
    A

    是局部去极化电位

    B

    具有全或无性质

    C

    是局部超极化电位

    D

    是突触前膜递质释放量减少所致

    E

    足突触后膜Na+通透性增加所致


    正确答案: C
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    抑制性突触后电位是A.太极化局部电位B.超极化局部电位C.具有全或无特征SXB

    抑制性突触后电位是

    A.太极化局部电位

    B.超极化局部电位

    C.具有全或无特征

    D.突触前膜递质释放减少所致

    E.突触后膜对Na+通透性增加所致


    正确答案:B

  • 第14题:

    抑制性突触后电位是 A.去极化局部电位B.超极化局部电位C.具有全或无特性SX

    抑制性突触后电位是

    A.去极化局部电位

    B.超极化局部电位

    C.具有全或无特性

    D.突触后膜NA+通透性增加所致

    E.突触前膜递质释放减少所致


    正确答案:B

  • 第15题:

    抑制性突触后电位是

    A、去极化局部电位

    B、超极化局部电位

    C、具有全或无特征

    D、突触前膜递质释放减少所致

    E、突触后膜对Na+通透性增加所致


    参考答案:B

  • 第16题:

    关于抑制性突触后电位,以下正确的是

    A.是局部去极化电位
    B.是局部超极化电位
    C.由突触前膜递质释放量减少所致
    D.由突触后膜对钠通透性增加所致

    答案:B
    解析:

  • 第17题:

    抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致

    A.Ca、K、Cl,尤其是Ca
    B.Na、Cl、K,尤其是K
    C.K、Ca、Na,尤其是Ca
    D.K、Cl,尤其是Cl
    E.Na、K,尤其是Na

    答案:D
    解析:

  • 第18题:

    A.Na
    B.Cl
    C.Mg
    D.Ca
    E.K

    突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位

    答案:B
    解析:

  • 第19题:

    关于抑制性突触后电位性质和机制的正确描述是( )。

    A.具有全或无性质
    B.属去极化局部电位
    C.由突触后膜对Na+通透性增加所致
    D.属超极化局部电位
    E.由突触前膜递质释放量减少所致

    答案:D
    解析:
    【应试指导】抑制性突触后电位是指突触后膜在某种神经递质作用下产生的局部超极化电位变化。

  • 第20题:

    下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是

    • A、是局部除极化电位
    • B、具有"全或无"性质
    • C、是局部超极化电位
    • D、由突触前膜递质释放量减少所致
    • E、由突触后膜对钠通透性增加所致

    正确答案:C

  • 第21题:

    抑制性突触后电位()

    • A、是“全或无”式的
    • B、有总和现象
    • C、幅度较兴奋性突触后电位大
    • D、是突触后膜对Cl-的通透性减少的结果
    • E、是突触后膜对Cl-的通透性增加的结果

    正确答案:B,E

  • 第22题:

    单选题
    抑制性突触后电位()
    A

    是去极化局部电位

    B

    是超极化局部电位

    C

    具有全或无特征

    D

    是突触前膜递质释放减少所致

    E

    是突触后膜对Na通透性增加所致


    正确答案: B
    解析: 暂无解析

  • 第23题:

    单选题
    下列对抑制性突触后电位描述中正确的是(  )。
    A

    是去极化的局部电位

    B

    具有全或无性质

    C

    是超极化局部电位

    D

    是突触前膜递质释放量减少所致

    E

    是突触后膜Na+通透性增加所致


    正确答案: E
    解析: 暂无解析

  • 第24题:

    判断题
    兴奋性突触后电位是由于突触后膜对K+(钾离子)的通透性增加所致
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析