低于体瓷烧结温度5℃
低于体瓷烧结温度10℃
高于体瓷烧结温度5℃
高于体瓷烧结温度10℃
以上均不正确
第1题:
自身釉烧结的温度是
A.低于体瓷烧结温度6~8℃
B.高于体瓷烧结温度10℃
C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
D.形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡
E.防止磨料成分污染金属表面
第2题:
PFM冠上釉时的炉温是
A、与体瓷的烧结温度相同
B、低于体瓷烧结温度6~8℃
C、低于体瓷烧结温度10~20℃
D、高于体瓷烧结温度6~8℃
E、高于体瓷烧结温度10~20℃
第3题:
除气、氧化的方法是
A.低于体瓷烧结温度6~8℃
B.高于体瓷烧结温度10℃
C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
D.形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡
E.防止磨料成分污染金属表面
第4题:
上釉的烧结温度是()。
第5题:
第6题:
低于体瓷烧结温度5℃
低于体瓷烧结温度10℃
高于体瓷烧结温度5℃
高于体瓷烧结温度10℃
以上均不正确
第7题:
与体瓷的烧结温度相同
低于体瓷烧结温度6~8℃
低于体瓷烧结温度10~20°C
高于体瓷烧结温度6~8℃
高于体瓷烧结温度10~20℃
第8题:
金属基底冠须顺同一方向打磨的目的是
A.低于体瓷烧结温度6~8℃
B.高于体瓷烧结温度10℃
C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
D.形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡
E.防止磨料成分污染金属表面
第9题:
上釉的烧结温度是
A.低于体瓷温度5℃
B.低于体瓷温度10℃
C.低于体瓷温度20℃
D.高于体瓷温度5℃
E.高于体瓷温度10℃
第10题:
若采用体瓷、透明瓷自身上釉,烧结温度是()。
第11题:
金属烤瓷材料中,烧结温度最低的瓷是()
第12题:
高20~30℃
高10~20℃
高10℃以内
低10℃以内
低10~20℃
第13题:
低于体瓷烧结温度5℃
低于体瓷烧结温度10℃
高于体瓷烧结温度5℃
高于体瓷烧结温度10℃
以上均不正确