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更多“单选题上釉的烧结温度是()A 低于体瓷烧结温度5℃B 低于体瓷烧结温度10℃C 高于体瓷烧结温度5℃D 高于体瓷烧结温度10℃E 以上均不正确”相关问题
  • 第1题:

    自身釉烧结的温度是

    A.低于体瓷烧结温度6~8℃

    B.高于体瓷烧结温度10℃

    C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间

    D.形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡

    E.防止磨料成分污染金属表面


    参考答案:B

  • 第2题:

    PFM冠上釉时的炉温是

    A、与体瓷的烧结温度相同

    B、低于体瓷烧结温度6~8℃

    C、低于体瓷烧结温度10~20℃

    D、高于体瓷烧结温度6~8℃

    E、高于体瓷烧结温度10~20℃


    参考答案:B

  • 第3题:

    除气、氧化的方法是

    A.低于体瓷烧结温度6~8℃

    B.高于体瓷烧结温度10℃

    C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间

    D.形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡

    E.防止磨料成分污染金属表面


    参考答案:D

  • 第4题:

    上釉的烧结温度是()。

    • A、低于体瓷烧结温度5℃
    • B、低于体瓷烧结温度10℃
    • C、高于体瓷烧结温度5℃
    • D、高于体瓷烧结温度10℃
    • E、以上均不正确

    正确答案:B

  • 第5题:

    单选题
    若采用体瓷、透明瓷自身上釉,烧结温度是(  )。
    A

    B

    C

    D

    E


    正确答案: B
    解析: 暂无解析

  • 第6题:

    单选题
    上釉的烧结温度是()
    A

    低于体瓷烧结温度5℃

    B

    低于体瓷烧结温度10℃

    C

    高于体瓷烧结温度5℃

    D

    高于体瓷烧结温度10℃

    E

    以上均不正确


    正确答案: E
    解析: 暂无解析

  • 第7题:

    单选题
    PFM冠上釉时的炉温是(  )。
    A

    与体瓷的烧结温度相同

    B

    低于体瓷烧结温度6~8℃

    C

    低于体瓷烧结温度10~20°C

    D

    高于体瓷烧结温度6~8℃

    E

    高于体瓷烧结温度10~20℃


    正确答案: A
    解析:
    低于体瓷烧结温度6~8℃,以保证体瓷不变形。

  • 第8题:

    金属基底冠须顺同一方向打磨的目的是

    A.低于体瓷烧结温度6~8℃

    B.高于体瓷烧结温度10℃

    C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间

    D.形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡

    E.防止磨料成分污染金属表面


    参考答案:E

  • 第9题:

    上釉的烧结温度是

    A.低于体瓷温度5℃

    B.低于体瓷温度10℃

    C.低于体瓷温度20℃

    D.高于体瓷温度5℃

    E.高于体瓷温度10℃


    正确答案:B
    B

  • 第10题:

    若采用体瓷、透明瓷自身上釉,烧结温度是()。

    • A、低于体瓷烧结温度5℃
    • B、低于体瓷烧结温度10℃
    • C、高于体瓷烧结温度5℃
    • D、高于体瓷烧结温度10℃
    • E、以上均不正确

    正确答案:D

  • 第11题:

    金属烤瓷材料中,烧结温度最低的瓷是()

    • A、遮色瓷
    • B、体瓷(牙本质瓷)
    • C、颈瓷
    • D、釉瓷

    正确答案:D

  • 第12题:

    单选题
    若采用自身上釉,烧结温度比体瓷的烧结温度(  )。
    A

    高20~30℃

    B

    高10~20℃

    C

    高10℃以内

    D

    低10℃以内

    E

    低10~20℃


    正确答案: E
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    单选题
    若采用体瓷、透明瓷自身上釉,烧结温度是()。
    A

    低于体瓷烧结温度5℃

    B

    低于体瓷烧结温度10℃

    C

    高于体瓷烧结温度5℃

    D

    高于体瓷烧结温度10℃

    E

    以上均不正确


    正确答案: B
    解析: 暂无解析