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PFM烧结过程，下列说法正确的有（）A、正式烧结之前应干燥5～7分钟，防止固瓷层内残留水分过多在加热烧结时形成气泡B、烧结温度应比遮色瓷烧结温度低10℃～20℃C、烧结程序结束时，应及时将烘烤盘移至圹掌平台之外D、烧结起始温度低，升温速度过慢，会延长烧结时间，易引起牙冠变形或颜色变浊E、烧结开始时应1～230L／分钟速度排气，以低于瓷熔点100℃以下温度升温
题目
PFM烧结过程，下列说法正确的有（）
- A、正式烧结之前应干燥5～7分钟，防止固瓷层内残留水分过多在加热烧结时形成气泡
- B、烧结温度应比遮色瓷烧结温度低10℃～20℃
- C、烧结程序结束时，应及时将烘烤盘移至圹掌平台之外
- D、烧结起始温度低，升温速度过慢，会延长烧结时间，易引起牙冠变形或颜色变浊
- E、烧结开始时应1～230L／分钟速度排气，以低于瓷熔点100℃以下温度升温
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第1题：
PFM冠上釉时的炉温是
A、与体瓷的烧结温度相同
B、低于体瓷烧结温度6～8℃
C、低于体瓷烧结温度10～20℃
D、高于体瓷烧结温度6～8℃
E、高于体瓷烧结温度10～20℃
参考答案：B
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第2题：
PFM冠体瓷烧结起始温度过低，升温速度过慢会出现
A、牙冠变形
B、颜色变亮
C、颜色变暗
D、瓷内气泡
E、透明度增加
参考答案：A
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第3题：
上釉的烧结温度是（）。
- A、低于体瓷烧结温度5℃
- B、低于体瓷烧结温度10℃
- C、高于体瓷烧结温度5℃
- D、高于体瓷烧结温度10℃
- E、以上均不正确
正确答案:B -
第4题：
单选题若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是（）。A低于体瓷烧结温度5℃
B低于体瓷烧结温度10℃
C高于体瓷烧结温度5℃
D高于体瓷烧结温度10℃
E以上均不正确
正确答案： B解析： 暂无解析 -
第5题：
除气、氧化的方法是
A.低于体瓷烧结温度6～8℃
B.高于体瓷烧结温度10℃
C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡
E.防止磨料成分污染金属表面
参考答案：D
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第6题：
若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是（）。
- A、低于体瓷烧结温度5℃
- B、低于体瓷烧结温度10℃
- C、高于体瓷烧结温度5℃
- D、高于体瓷烧结温度10℃
- E、以上均不正确
正确答案:D -
第7题：
PFM烧结过程，下列说法正确的有（）
- A、正式烧结之前应干燥5～7分钟，防止固瓷层内残留水分过多在加热烧结时形成气泡
- B、烧结温度应比遮色瓷烧结温度低10℃～20℃
- C、烧结程序结束时，应及时将烘烤盘移至圹掌平台之外
- D、烧结起始温度低，升温速度过慢，会延长烧结时间，易引起牙冠变形或颜色变浊
- E、烧结开始时应1～230L／分钟速度排气，以低于瓷熔点100℃以下温度升温
正确答案:A,B,D,E -
第8题：
单选题PFM冠上釉时的炉温是（ ）。A与体瓷的烧结温度相同
B低于体瓷烧结温度6～8℃
C低于体瓷烧结温度10～20°C
D高于体瓷烧结温度6～8℃
E高于体瓷烧结温度10～20℃
正确答案： A解析：
低于体瓷烧结温度6～8℃，以保证体瓷不变形。