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关于抑制性突触后电位产生过程的描述,错误的是()A、突触前轴突末梢去极化B、Ca2+由膜外进入突触前膜内C、突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合D、突触后膜对Cl-或K+的通透性升高E、突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动

题目

关于抑制性突触后电位产生过程的描述,错误的是()

  • A、突触前轴突末梢去极化
  • B、Ca2+由膜外进入突触前膜内
  • C、突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合
  • D、突触后膜对Cl-或K+的通透性升高
  • E、突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动

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更多“关于抑制性突触后电位产生过程的描述,错误的是()”相关问题
  • 第1题:

    可产生抑制性突触后电位的离子基础是

    A.K+

    B.Na+

    C.Ca2+

    D.Cl-

    E.H+


    正确答案:D

  • 第2题:

    产生抑制性突触后电位的主要离子基础是( )。


    正确答案:D

  • 第3题:

    关于抑制性突触后电位的产生过程的描述,哪一项是不正确的

    A.突触前末梢去极化
    B.Ca由膜外进入突触前膜内
    C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合
    D.突触后膜对K、Cl或Cl的通透性升高
    E.突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动

    答案:E
    解析:
    抑制性突触后电位是一种在突触后膜处产生的超极化局部电位,对神经元膜去极化达到阈电位有阻碍作用,使该神经元不容易产生动作电位。

  • 第4题:

    关于转录延长过程的描述,下列哪项是错误的?

    D.酶沿模板链的3' —5'方向移动


    答案:B
    解析:
    σ亚基从转录起始复合物上脱落后,RNA-pol核心酶的构象发生改变,参与转录延长全过程。 启动子区段有结构特异性。但转录起始后,RNA-pol与模板的结合是非特异性的,而且比较松散,有利于 酶向下游移动。转录产物是从5' - 3',酶是沿模板链的3' - 5'移动,或沿编码链的5' —3'移动。

  • 第5题:

    抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对( )的通透性增加所致。



    答案:D
    解析:

  • 第6题:

    关于过程块以及过程赋值描述中,下列正确的是()

    • A、在过程赋值语句中表达式左边的信号一定是寄存器类型
    • B、过程块中的语句一定是可综合的
    • C、在过程块中,使用过程赋值语句给wire赋值不会产生错误
    • D、过程块中时序控制的种类有简单延迟、边沿敏感和电平敏感

    正确答案:A

  • 第7题:

    关于注射剂的描述错误的是

    • A、制备过程复杂
    • B、中药注射剂易产生刺激
    • C、中药注射剂的澄明度易出现问题
    • D、不溶于水的药物不能制成注射剂

    正确答案:D

  • 第8题:

    关于抑制性突触后电位产生过程的描述,错误的是()

    • A、突触前轴突末梢去极化
    • B、Ca2+由膜外进入突触前膜内
    • C、突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合
    • D、突触后膜对Cl-或K+的通透性升高
    • E、突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动

    正确答案:E

  • 第9题:

    单选题
    关于抑制性突触后电位产生过程的描述,哪一项是错误的?()
    A

    突触前轴突末梢去极化,Ca2+由膜外进入突触前膜内

    B

    突触前轴突末梢释放兴奋性递质减少

    C

    突触后膜对K+、C1-,特别是Cl-的通透性增高

    D

    突触后膜出现超极化电位


    正确答案: B
    解析: 暂无解析

  • 第10题:

    单选题
    关于呼叫的建立描述,下列哪种说法是错误的?()
    A

    SDCCH与SACCH是成对产生的

    B

    SDCCH与TCH是成对产生的

    C

    TCH与SACCH是成对产生的

    D

    TCH与FACCH不是成对产生的


    正确答案: B
    解析: 暂无解析

  • 第11题:

    单选题
    关于棘慢复合波的产生机制,正确的是(  )。
    A

    棘波、慢波是由兴奋性突触后电位构成

    B

    棘波、慢波是由抑制性突触后电位构成

    C

    棘波是由抑制性突触后电位构成,慢波是由兴奋性突触后电位构成

    D

    棘波是由兴奋性突触后电位构成,慢波是由抑制性突触后电位构成

    E

    棘波、慢波是由突触前电位构成


    正确答案: D
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    单选题
    下列关于抑制性突触后电位的产生过程的描述,错误的是(  )。
    A

    Ca2由膜外进入突触前膜内

    B

    突触前末梢去极化

    C

    突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合

    D

    突触后膜对K或Cl-的通透性升高

    E

    突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动


    正确答案: B
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    产生抑制性突触后电位的主要离子基础是

    A.K+

    B.Na+

    C.Ca2+

    D.Cl-

    E.Mg2+


    正确答案:D

  • 第14题:

    关于呼叫的建立描述,下列哪种说法是错误的?()

    A.SDCCH与SACCH是成对产生的

    B.SDCCH与TCH是成对产生的

    C.TCH与SACCH是成对产生的

    D.TCH与FACCH不是成对产生的


    参考答案:B

  • 第15题:

    A.K
    B.Na
    C.Ca
    D.Cl
    E.H

    可产生抑制性突触后电位的离子基础是

    答案:D
    解析:

    冲动传到突触前末梢,触发前膜中的Ca通道开放,一定量的Ca顺浓度差流入突触内,在Ca的作用下一定数量的突触泡将递质外排到突触间隙,此过程称胞吐。被释放的递质扩散到突触间隙,到达突触后膜,与位于后膜中的受体结合,故1题选C。抑制性突触后电位因为Cl通透性的增大导致突触后膜超极化而引起短路效应,使兴奋性突触后电位的去极化减少,而抑制了动作电位的发生。故2题选D。

  • 第16题:

    关于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是( )。

    A.
    B.突触后膜去极化
    C.突触后膜出现超极化
    D.突触后膜出现复极化
    E.以上都不是


    答案:C
    解析:
    突触后膜在递质作用下发生超极化,使该突触后神经元的兴奋性下降,这种电位变化称为抑制性突触后电位。

  • 第17题:

    下列关于抑制性突触后电位的产生过程的描述,错误的是( )。

    A.
    B.突触前末梢去极化
    C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合
    D.
    E.突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动

    答案:E
    解析:

  • 第18题:

    试述兴奋性与抑制性突触后电位的作用与产生原理。


    正确答案: 在刺激引起的反射发生过程中,中枢若产生兴奋过程则传出冲动增加;若发生抑制,则中枢原有的传出冲动减弱或停止。中枢部分的兴奋传播是通过兴奋性突触后电位实现的;而抑制性突触后电位的产生,则可带来中枢抑制。兴奋性突触后电位的产生过程如下:神经轴突的兴奋冲动可使神经末梢突触前膜兴奋并释放兴奋性递质,后者经突触间隙扩散并作用于突触后膜与特殊受体相结合,由此提高后膜对Na+、K+、Cl-,尤其是Na+的通透性,因Na+进入较多而膜电位降低,出现局部的去极化,这种短暂的局部去极化可呈现电紧张形式扩布,称兴奋性突触后电位(EPSP)。它通过总和作用可使膜电位绝对值降低至阈电位,从而在轴突始段产生扩布性动作电位,沿神经纤维传导,表现为突触后神经元兴奋。抑制性突触后电位产生过程如下:抑制性神经元兴奋,神经末梢释放抑制性递质,后者经过扩散与突触后膜受体结合,从而使后膜对K+、Cl-,尤其是Cl-的通透性提高;膜电位绝对值增大而出现超极化,即抑制性突触后电位。

  • 第19题:

    下列关于文书产生的过程描述正确的是()

    • A、文字——文书——语言
    • B、语言——文书——文字
    • C、语言——文字——文书
    • D、文书——文字——语言

    正确答案:C

  • 第20题:

    单选题
    关于注射剂的描述错误的是
    A

    制备过程复杂

    B

    中药注射剂易产生刺激

    C

    中药注射剂的澄明度易出现问题

    D

    不溶于水的药物不能制成注射剂


    正确答案: B
    解析: 暂无解析

  • 第21题:

    单选题
    以下关于酵母人工染色体(YAC)在细胞分裂过程中发生分离错误的描述,正确的是()。
    A

    11000bp的YAC将产生50%的错误

    B

    55000bp的YAC将产生1.5%的错误

    C

    长于100000bp的YAC产生0.3%的错误

    D

    以上都对


    正确答案: C
    解析: 暂无解析

  • 第22题:

    单选题
    关于抑制性突触后电位产生过程的描述,哪一项是错误的?(  )
    A

    突触前轴突末梢去极化

    B

    Ca2+由膜外进入突触前膜内

    C

    突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合

    D

    突触后膜对Cl-或K+的通透性升高

    E

    突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动


    正确答案: A
    解析: 暂无解析

  • 第23题:

    单选题
    可产生抑制性突触后电位的离子基础是()
    A

    K+

    B

    H+

    C

    Ca2+

    D

    Cl-

    E

    Na+


    正确答案: A
    解析: 暂无解析

  • 第24题:

    问答题
    试述兴奋性与抑制性突触后电位的作用与产生原理。

    正确答案: 在刺激引起的反射发生过程中,中枢若产生兴奋过程则传出冲动增加;若发生抑制,则中枢原有的传出冲动减弱或停止。中枢部分的兴奋传播是通过兴奋性突触后电位实现的;而抑制性突触后电位的产生,则可带来中枢抑制。兴奋性突触后电位的产生过程如下:神经轴突的兴奋冲动可使神经末梢突触前膜兴奋并释放兴奋性递质,后者经突触间隙扩散并作用于突触后膜与特殊受体相结合,由此提高后膜对Na+、K+、Cl-,尤其是Na+的通透性,因Na+进入较多而膜电位降低,出现局部的去极化,这种短暂的局部去极化可呈现电紧张形式扩布,称兴奋性突触后电位(EPSP)。它通过总和作用可使膜电位绝对值降低至阈电位,从而在轴突始段产生扩布性动作电位,沿神经纤维传导,表现为突触后神经元兴奋。抑制性突触后电位产生过程如下:抑制性神经元兴奋,神经末梢释放抑制性递质,后者经过扩散与突触后膜受体结合,从而使后膜对K+、Cl-,尤其是Cl-的通透性提高;膜电位绝对值增大而出现超极化,即抑制性突触后电位。
    解析: 暂无解析