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IGBT有哪些缺点?( )A、开关速度不及电力MOSFETB、开关速度比电力MOSFET快C、电压、电流容量不及GTOD、电压、电流容量比GTO大

题目

IGBT有哪些缺点?( )

A、开关速度不及电力MOSFET

B、开关速度比电力MOSFET快

C、电压、电流容量不及GTO

D、电压、电流容量比GTO大

相似考题

1.5、关于IGBT，下面（）不正确。A．IGBT是复合型器件，输入端是MOSFET，输出端是双极晶体管；B．IGBT存在电导调制效应；C．IGBT的开关速度较功率MOSFET快；D．IGBT较功率MOSFET更有利于制作大功率器件

2.属于电流驱动的器件是（）A．电力MOSFETB．SCRC．GTRD．IGBT

3.16、关于IGBT，下面（）正确。A．IGBT是复合型器件，输入端是MOSFET，输出端是双极晶体管；B．IGBT存在电导调制效应；C．IGBT的开关速度较功率MOSFET快；D．IGBT较功率MOSFET更有利于制作大功率器件

4.下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有A．IGBT开关速度高于电力MOSFETB．IGBT是电压驱动型器件C．电力MOSFET存在二次击穿问题D．IGBT具有擎住效应

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  • 第1题：

    比较电力MOSFET与IGBT内部结构，说明电力MOSFET在开关特性上的优点。


    不同: IGBT 比电力 MOSFET 在背面多一个 P 型层,耐压能力及功率等级高于 MOSFET ,具有耐脉冲电流冲击的能力,且由于具备电导调制效应,通态压降较低,开关损耗少小于电力 MOSFET 。电力 MOSFET 结构与 IGBT 类似,但少了一层 P 型层,因此耐压能力及功率等级不及 IGBT ,且由于不具备电导调制效应,通态压降相对 IGBT 较高,导通损耗高于 IGBT ,但开关速度高于 IGBT ,且热稳定性好。 相同:两者驱动电路均为电压驱动型,输入阻抗高,所需驱动功率小且驱动电路简单,工作频率高,都不存在二次击穿问题。

  • 第2题：

    下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有 。

    A．IGBT是电压驱动型器件

    B．IGBT具有擎住效应

    C．IGBT开关速度高于电力MOSFET

    D．电力MOSFET存在二次击穿问题


    IGBT具有擎住效应;IGBT是电压驱动型器件

  • 第3题：

    IGBT的开关速度是电力电子器件中最高的。


    错误

  • 第4题：

    30、下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有

    A．IGBT开关速度高于电力MOSFET

    B．IGBT是电压驱动型器件

    C．电力MOSFET存在二次击穿问题

    D．IGBT具有擎住效应


    AD

  • 第5题：

    2、比较电力MOSFET与IGBT内部结构，说明电力MOSFET在开关特性上的优点。


    IGBT比电力MOSFET在背面多一个P型层,IGBT开关速度小,开关损耗少具有耐脉冲电流冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗高,为电压驱动,驱动功率小。开关速度低于电力MOSFET。电力MOSFET开关速度快,输入阻抗高,热稳定性好。所需驱动功率小且驱动电路简单,工作频率高,不存在二次击穿问题。IGBT驱动电路的特点是:驱动电路具有较小的输出电阻,IGBT是电压驱动型器件,IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。 电力MOSFET驱动电路的特点:要求驱动电路具有较小的输入电阻,驱动功率小且电路简单。

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