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描述CMOS电路中闩锁效应产生的过程及最后的结果？（仕兰微面试题目）

题目

描述CMOS电路中闩锁效应产生的过程及最后的结果？（仕兰微面试题目）

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1.描述反馈电路的概念，列举他们的应用。（仕兰微电子）

2.我们公司的产品是集成电路，请描述一下你对集成电路的认识，列举一些与集成电路相关的内容（如讲清楚模拟、数字、双极型、CMOS、MCU、RISC、CISC、DSP、ASIC、FPGA等的概念）。（仕兰微面试题目）

3.什么叫做OTP片、掩膜片，两者的区别何在？（仕兰微面试题目）

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    语音压缩方面）、电子系统方案的研究、用MCU、DSP编程实现电路功能、用ASIC设计技术

    设计电路（包括MCU、DSP本身）、电路功能模块设计（包括模拟电路和数字电路）、集成

    电路后端设计（主要是指综合及自动布局布线技术）、集成电路设计与工艺接口的研究.

    你希望从事哪方面的研究？（可以选择多个方向。另外，已经从事过相关研发的人员可以

    详细描述你的研发经历）。（仕兰微面试题目）


    正确答案：
        

  • 第11题：

    描述CMOS电路中闩锁效应产生的过程及最后的结果。


    正确答案: Latch-up闩锁效应，又称寄生PNPN效应或可控硅整流器（SCR，Silicon Controlled Rectifier）效应。在整体硅的CMOS管下，不同极性搀杂的区域间都会构成P-N结，而两个靠近的反方向的P-N结就构成了一个双极型的晶体三极管。因此CMOS管的下面会构成多个三极管，这些三极管自身就可能构成一个电路。
    这就是MOS管的寄生三极管效应。如果电路偶尔中出现了能够使三极管开通的条件，这个寄生的电路就会极大的影响正常电路的运作，会使原本的MOS电路承受比正常工作大得多的电流，可能使电路迅速的烧毁。Latch-up状态下器件在电源与地之间形成短路，造成大电流、EOS（电过载）和器件损坏。

  • 第12题：

    填空题
    闩锁效应（可控硅效应），是CMOS电路遇到的（）问题。在CMOS电路正常工作时，由于（）的突然被激发，器件电流突然（），甚至很快因Al（），使电路失效。

    正确答案： 破坏性,寄生晶体管,大幅上升,连线熔断
    解析： 暂无解析

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  • 第23题：

    问答题
    描述CMOS电路中闩锁效应产生的过程及最后的结果。

    正确答案： Latch-up闩锁效应，又称寄生PNPN效应或可控硅整流器（SCR，Silicon Controlled Rectifier）效应。在整体硅的CMOS管下，不同极性搀杂的区域间都会构成P-N结，而两个靠近的反方向的P-N结就构成了一个双极型的晶体三极管。因此CMOS管的下面会构成多个三极管，这些三极管自身就可能构成一个电路。
    这就是MOS管的寄生三极管效应。如果电路偶尔中出现了能够使三极管开通的条件，这个寄生的电路就会极大的影响正常电路的运作，会使原本的MOS电路承受比正常工作大得多的电流，可能使电路迅速的烧毁。Latch-up状态下器件在电源与地之间形成短路，造成大电流、EOS（电过载）和器件损坏。
    解析： 暂无解析

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