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因为晶体管发射区的杂质浓度比基区的杂质浓度小得多,所以能用两个二极管反向连接起来代替晶体管。()此题为判断题(对，错)。

题目
因为晶体管发射区的杂质浓度比基区的杂质浓度小得多,所以能用两个二极管反向连接起来代替晶体管。()

此题为判断题(对，错)。

相似考题

1.三极管BJT制作时,通常基区掺杂浓度低;发射区的杂质浓度则很高。()

2.晶体管由两个PN结组成,所以能用两个二极管反向连接起来充当晶体管使用。()此题为判断题(对，错)。

3.晶体管具备电流放大的内部条件是()。A.基区薄而其杂质浓度低B.基区杂质浓度高C.降低发射区杂质浓度D.加强电子在基区的复合

4.晶体管由两个PN结组成,所以可以用两个二极管反向连接起来充当晶体管使用()。此题为判断题(对，错)。

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  • 第1题：

    晶体管的内部结构特点是：发射区杂质浓度最低，基区杂质浓度最高。


    错误

  • 第2题：

    10、晶体管的内部结构特点是：发射区杂质浓度最低，基区杂质浓度最高。


    正向，反向

  • 第3题：

    以下措施中，不能提高晶体管截止频率的一项是（）。

    A．采用离子注入工艺降低晶体管的基区宽带Wb

    B．降低基区两端杂质浓度比以提高电场因子

    C．减小发射结和集电结面积以减小电容

    D．适当降低集电区电阻率和厚度


    降低基区两端杂质浓度比以提高电场因子

  • 第4题：

    对于基区为均匀掺杂的npn晶体管，分别绘制在正向放大偏置、反向放大偏置、截止、过饱和这四种状态下发射区、基区、集电区的少子分布示意图。


    由p=n i e -ψ/V T 有 $由 和式(1)并利用爱因斯坦关系得到 上式两边乘以N a ，并对x从x到x B 积分，得到 在大多数实际的平面晶体管中，基区复合是可以忽略的，因此，在积分中I n 取为常数．对于正向有源模式，把边界条件n p (x B )=0代入上式，得到基区内电子分布 (2)$在x=0处利用n p (0)=n p0 e V E /V T ，并用n p (0)p p (0)= ，p p (0)=N a (0)，得到n p0 (0)= /N a (0)，求得 (3)$为了计算基区输运因子，先把整个基区复合电流取为 根据基区输运因子的定义 将式(2)代入并使用 ，便得到 (4)

  • 第5题：

    NPN型晶体管和PNP型晶体管都含有三个掺杂区，分别是发射区，基区和集电区


    C

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