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三极管BJT制作时,通常基区掺杂浓度低;发射区的杂质浓度则很高。()

题目

三极管BJT制作时,通常基区掺杂浓度低;发射区的杂质浓度则很高。()

相似考题

1.三极管哪个区的掺杂浓度最高()A、基区B、发射区C、集电区D、不确定

2.晶体三极管放大作用需满足的条件有()。A.内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度B.内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度C.外部条件，发射结正偏，集电结反偏D.外部条件，发射结反偏。集电结反偏

3.晶体管具备电流放大的内部条件是()。A.基区薄而其杂质浓度低B.基区杂质浓度高C.降低发射区杂质浓度D.加强电子在基区的复合

4.关于BJT的结构特点说法错误的是()。A、基区很薄且掺杂浓度很低B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D、集电区面积大于发射区面积

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  • 第1题：

    关于BJT的结构特点，以下说法错误的是（)

    A．基区很薄，掺杂浓度很低

    B．发射区的掺杂浓度远大于集电区

    C．基区的掺杂浓度远大于集电区

    D．集电区面积大于发射区面积


    基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度

  • 第2题：

    制造晶体管时要求发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。


    A

  • 第3题：

    4、关于BJT的结构特点，以下说法错误的是（)

    A．基区很薄，掺杂浓度很低

    B．发射区的掺杂浓度远大于集电区

    C．基区的掺杂浓度远大于集电区

    D．集电区面积大于发射区面积


    基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度

  • 第4题：

    1、BJT的三个区，（）的掺杂浓度最低

    A．发射区

    B．基区

    C．集电区

    D．三者一样


    基区

  • 第5题：

    15、制造晶体管时要求发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。


    重

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