此题为判断题(对,错)。
1.二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。
2.2、在常温下,硅二极管的门限电压约 V,导通后在较大电流下的正向压降约 V;锗二极管的门限电压约 V,导通后在较大电流下的正向压降约 V。
3.4、当温度升高后,二极管的正向压降______,反向漏电流______。A.上升,下降;B.上升,上升;C.下降,上升;D.下降,下降。
4.理想二极管模型是:正向导通时,二极管的压降是()V。
第1题:
2、2.与普通二极管相比, 肖特基二极管漏电流更小,正向导通压降更大,反向恢复时间更短,工作频率更高. ()
第2题:
所有的二极管正向导通后压降都为0.7V。
第3题:
当温度升高后,二极管的正向压降______,反向电流______。
A.上升,下降;
B.上升,上升;
C.下降,上升;
D.下降,下降。
第4题:
13、硅二极管的正向导通压降比锗二极管大。
第5题:
普通小功率锗二极管的正向导通压降约为0.1~0.3V