对于硅三极管，死区电压约为　　　，对于锗三极管，死区电压约为　　　　　　。A．0.1V；0.5VB．0.5V；0.1VC．0.7V；0.5VD．0.5V；0.2V

第1题：

第2题：

对于硅三极管，发射极的死区电压约为（）V。

• A、0.7
• B、0.5
• C、0.2

正确答案:B

第3题：

硅二极管的死区电压约为（）。

• A、0.2
• B、0.3
• C、0.5
• D、0.7

正确答案:D

第4题：

锗管比硅管的接触电位差大，因此锗管比硅管的死区电压大。

正确答案:错误

第5题：

在三极管的输入特性曲线中，锗管的死区电压约为（）左右。

• A、0.3V
• B、0.1V
• C、0.2V
• D、0.5V

正确答案:B

第6题：

二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？

正确答案:当外加正向电压很低时，正向电流很小，几乎为零。当正向电压超过一定数值后，电流增大很快。这个一定数值的正向电压称为死区电压。通常，硅管的死区电压约为0.5V，锗管的死区电压约为0.5V。

第7题：

什么是二极管的死区电压？它是如何产生的？硅管和锗管的死区电压的典型值是多少？

正确答案:当加在二极管上的正向电压小于某一数值时，二极管电流非常小，只有当正向电压大于该数值后，电流随所加电压的增大而迅速增大，该电压称为二极管的死区电压，它是由二极管中PN的内电场引起的。硅管和锗管的死区电压的典型值分别是0.7V和0.3V。

第8题：

晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。

正确答案:0.6～0.7；0.2～0.3；0.5；0.1

第9题：

二极管具有（）向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为（）V；硅管约为（）V。

正确答案:单；0.1；0.5

第10题：

硅二极管和锗二极管的死区电压的典型值约为多少？

正确答案: 硅二极管的死区电压值约为0.5V。锗二极管的死区电压约为0.2V。

第11题：

第12题：

第13题：

硅二极管的死区电压和锗二极管死区电压相等。

正确答案:正确

第14题：

二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？

正确答案: 当正向超过某值Us时，正向电流才迅速增大，这个Us值就称为死区电压。出现死区电压的原因是由于PI/I结形成后，空间电荷区的内电场阻止多数载沈子扩散，当外加正向电压很低时，不能克服内电场的阻碍作用，这样使得正向扩散电流很小，通过=极管的电流较小（近似为o），硅管和锗管的死区电压分别均为0.5v和0.1V。

第15题：

硅管的死区电压约为（）。

• A、0.8V
• B、0.9V
• C、0.7V
• D、0.6V

正确答案:C

第16题：

硅三极管两端加上正向电压时（）。

• A、立即导通
• B、若超过0.3V才导通
• C、若越过死区电压就导通

正确答案:C

第17题：

晶体二极管的伏安特性可简单理解为（），（）。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。

正确答案:正向导通；反向截止；0.7V；0.3V

第18题：

硅管的死区电压约为（）V，锗管的死区电压约为（）V。

正确答案:0.5；0.1

第19题：

硅管的死区电压为0.5V，锗管的死区电压为（）。

• A、0.5V
• B、0.7V
• C、0.4V
• D、0.2V

正确答案:D

第20题：

硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。

正确答案:0.5；0.1

第21题：

对于硅三极管，发射极的死区电压约为（）V。

• A、0.7
• B、0.5
• C、0.2
• D、0.3

正确答案:B

第22题：

第23题：

第24题：