三极管加正向偏置时存在一个死区电压,锗管死区电压为()V,硅管为()V。

第1题：

硅管的死区电压为0.2V，导通压降为0.6~0.7V；锗管的死区电压为0.5V，导通压降为0.2~0.3V。

第2题：

1、下列有关硅二极管的说法，正确的是 。

A．死区电压为0.1V，正向导通电压为0.3 V

B．死区电压为0.3 V，正向导通电压为0.5 V

C．死区电压为0.5 V，正向导通电压为0.7 V

D．死区电压为0.7 V，正向导通电压为0.9 V

第3题：

3、硅管的死区电压为0.2V，导通压降为0.6~0.7V；锗管的死区电压为0.5V，导通压降为0.2~0.3V。

第4题：

5、硅管的死区电压约为0.5，导通电压约为0.7；锗管的死区电压约为0.2，导通电压约为0.3。

第5题：

什么是二极管的死区电压？为什么会出现死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值是多少？