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下面关于PN规划,正确的是()A.PN用于区分扇区而不是基站;B.PN资源是在短码基础上得到的;C.PN规划需要考虑同PN混淆引起的网络问题;D.相邻扇区PN可以随意设置,不会产生问题;

题目
下面关于PN规划,正确的是()

A.PN用于区分扇区而不是基站;

B.PN资源是在短码基础上得到的;

C.PN规划需要考虑同PN混淆引起的网络问题;

D.相邻扇区PN可以随意设置,不会产生问题;


相似考题
参考答案和解析
参考答案:A, B, C
更多“下面关于PN规划,正确的是() ”相关问题
  • 第1题:

    在扰码规划中,关于co-PN干扰说法正确的是()

    A.相同码字复用时产生的干扰

    B.相近码字复用时产生的干扰

    C.解决co-PN干扰考虑采用足够的复用距离来实现

    D.保证扰码有足够大的PN偏移量减小干扰


    参考答案:A, C

  • 第2题:

    7、下面对PN结单向导电性描述正确的是()

    A.反偏时PN结等效为一个大电阻

    B.正向导通,反向截止

    C.反偏时PN结有非常小的电流通过,PN结内电流方向是由N区流向P区

    D.正偏时PN结内有较大电流通过,PN结内电流方向是由N区流向P区


    正向导通,反向截止;反偏时 PN 结等效为一个大电阻

  • 第3题:

    9、下面对PN结单向导电性描述正确的是()

    A.反偏时PN结等效为一个大电阻

    B.正向导通,反向截止

    C.正偏时PN结内有较大电流通过,PN结内电流方向是由N区流向P区

    D.反偏时PN结有非常小的电流通过,PN结内电流方向是由N区流向P区


    正向导通,反向截止;反偏时 PN 结等效为一个大电阻

  • 第4题:

    下面正确的说法是()。

    A.PN结正向导通时具有负的温度系数

    B.PN结反向截止时具有负的温度系数

    C.PN结反向击穿时具有负的温度系数

    D.PN结具有温度敏感性的原因是由于多子参与导电


    ACD

  • 第5题:

    下面对晶闸管的描述不正确的是()。

    A.3个PN结

    B.4个PN层

    C.3个引脚端

    D.电压驱动


    ABD