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在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于() ,而多数载流子的浓度则与()有很大关系。A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷E.空穴F.自由电子

题目
在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于() ,而多数载流子的浓度则与()有很大关系。

A.温度

B.掺杂工艺

C.杂质浓度

D.晶体缺陷

E.空穴

F.自由电子

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1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于();当杂质浓度一定时,少数载流子的浓度与()有关。A、掺杂种类B、掺杂浓度C、温度D、电压

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3.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于温度。

4.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（），而少数载流子的浓度与（）有很大关系。A．杂质浓度；环境温度；B．环境温度；杂质浓度；C．杂质浓度；外加电场；D．杂质价态；杂质浓度；

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  • 第1题：

    在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于____，而少数载流子的浓度与____关系十分密切。 （A、温度， B、掺杂工艺， C、杂质浓度）

    A．AB

    B．BC

    C．CA

    D．CB


    杂质浓度

  • 第2题：

    1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（），而少数载流子的浓度与（）有很大关系。

    A．杂质浓度；环境温度；

    B．环境温度；杂质浓度；

    C．杂质浓度；外加电场；

    D．杂质价态；杂质浓度；


    杂质浓度

  • 第3题：

    26、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度。


    温度;杂质浓度

  • 第4题：

    4、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于____，而少数载流子的浓度与____关系十分密切。 A、温度， B、掺杂工艺， C、杂质浓度

    A．AB

    B．AC

    C．AD

    D．CA


    C

  • 第5题：

    在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于____，而少数载流子的浓度与____关系十分密切。 A、温度， B、掺杂工艺， C、杂质浓度

    A．AB

    B．AC

    C．AD

    D．CA


    杂质浓度

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