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晶体管能够放大的内部条件是()。A.两个背靠背的PN结B.自由电子与空穴都参与导电C.有三个掺杂浓度不同的区域D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大

题目
晶体管能够放大的内部条件是()。

A.两个背靠背的PN结

B.自由电子与空穴都参与导电

C.有三个掺杂浓度不同的区域

D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大


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  • 第1题:

    晶体管放大条件是发射结反偏,集电结正偏。()


    错误

  • 第2题:

    【填空题】晶体管的电流放大作用的外部条件是: 。


    集电结反偏,发射结正偏

  • 第3题:

    2、NPN晶体管处于放大状态的条件是UBB>UBE(on),且UCEQ>UBE(on) 。


    A

  • 第4题:

    NPN晶体管处于放大状态的条件是UBB>UBE(on),且UCEQ>UBE(on) 。


    发射结正偏、集电结反偏

  • 第5题:

    给放大电路设置合适直流工作点的目的是___C___。

    A.使得输入信号能够有效的送给晶体管

    B.使得输出信号能够有效的送给负载

    C.保证晶体管始终工作在放大区

    D.早期晶体管工艺不成熟时的方法,目前已可不用这种方法


    保证晶体管始终工作在放大区