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IGBT综合了()和MOSFET的优点,具有良好的特性。A、GTMB、GTNC、GTOD、GTR
题目
IGBT综合了()和MOSFET的优点,具有良好的特性。
A、GTM
B、GTN
C、GTO
D、GTR
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第1题：
30、下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有
A．IGBT开关速度高于电力MOSFET
B．IGBT是电压驱动型器件
C．电力MOSFET存在二次击穿问题
D．IGBT具有擎住效应
AD -
第2题：
【判断题】绝缘栅双极型晶体管（IGBT）综合了GTR和MOSFET的优点，因而具有低导通压降和高输入阻抗的综合优点。
A．Y.是
B．N.否
IGBT具有二次击穿效应 -
第3题：
IGBT综合了BJT和MOSFET的优点（）。
√ -
第4题：
IGBT综合了P-MOSFET和GTR的优点，具有输入阻抗高、工作速度快、通态电压低、阻断电压高、承受电流大的优点。
√ -
第5题：
2、比较电力MOSFET与IGBT内部结构，说明电力MOSFET在开关特性上的优点。
IGBT比电力MOSFET在背面多一个P型层,IGBT开关速度小,开关损耗少具有耐脉冲电流冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗高,为电压驱动,驱动功率小。开关速度低于电力MOSFET。电力MOSFET开关速度快,输入阻抗高,热稳定性好。所需驱动功率小且驱动电路简单,工作频率高,不存在二次击穿问题。IGBT驱动电路的特点是:驱动电路具有较小的输出电阻,IGBT是电压驱动型器件,IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。 电力MOSFET驱动电路的特点:要求驱动电路具有较小的输入电阻,驱动功率小且电路简单。