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1、PNP型和NPN型晶体管，其发射区和集电区均为同类型半导体（N型或P型）。所以在实际使用中发射极与集电极（）。A．可以调换使用B．不可以调换使用C．PNP型可以调换使用，NPN型则不可以调换使用D．不确定

题目

1、PNP型和NPN型晶体管，其发射区和集电区均为同类型半导体（N型或P型）。所以在实际使用中发射极与集电极（）。

A．可以调换使用

B．不可以调换使用

C．PNP型可以调换使用，NPN型则不可以调换使用

D．不确定

相似考题

1.若在本征半导体中掺入某些适当微量元素后，若以空穴导电为主的称______，若以自由电子导电为主的称______。A.PNP型半导体／NPN型半导体B.N型半导体／P型半导体C.PN结／PN结D.P型半导体／N型半导体

2.三极管的发射区和集电区是同类型半导体,因此,发射极和集电极是可以互换使用的。()此题为判断题(对，错)。

3.NPN型晶体管的发射区是()型半导体,集电区是()型半导体,基区是()型半导体。

4.PNP型晶体管的电流是从集电极流向发射极。()此题为判断题(对，错)。

更多“1、PNP型和NPN型晶体管，其发射区和集电区均为同类型半导体（N型或P型）。所以在实际使用中发射极与集电极（）。”相关问题

  • 第1题：

    NPN型和PNP型晶体管的区别是()。

    A、由两种不同的材料硅和锗制成

    B、掺入的杂质不同

    C、P区和N区的位置不同

    D、电流放大倍数不同


    参考答案：C

  • 第2题：

    结型场效应管可分为（）。

    • A、MOS管和MNS管
    • B、N沟道和P沟道
    • C、增强型和耗尽型
    • D、NPN型和PNP型

    正确答案:B

  • 第3题：

    TTL电路是晶体管-晶体管逻辑电路，它由NPN或PNP型晶体管组成，CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路，由绝缘栅场效应管组成。


    正确答案:正确

  • 第4题：

    晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体材料（N型或P型）构成的，所发射极和集电极可以互换。


    正确答案:错误

  • 第5题：

    NPN型晶体管和PNP型晶体管的电路符号仅在于发射极箭头方向不同，这个箭头是代表发射结在正向连接时的（）方向。

    • A、电量
    • B、电流
    • C、电压
    • D、功率

    正确答案:B

  • 第6题：

    在放大电路中，若测得某晶体管3个极的电位分别为6V、1.2V、1V，则该管为（）

    • A、NPN型硅管
    • B、PNP型锗管
    • C、NPN型锗管
    • D、PNP型硅管

    正确答案:C

  • 第7题：

    根据国产半导体器件命名方法可知，3DG6为（）

    • A、NPN型低频小功率硅晶体管
    • B、NPN型高频小功率硅晶体管
    • C、PNP型低频小功率锗晶体管
    • D、NPN型低频大功率硅晶体管

    正确答案:B

  • 第8题：

    在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是（）。

    • A、PNP管的集电极
    • B、PNP管的发射极
    • C、NPN管的发射极
    • D、NPN管的基极

    正确答案:B

  • 第9题：

    已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V，VB=-1.4V，VC=5V，则该管类型为（）

    • A、NPN型锗管
    • B、PNP型锗管
    • C、NPN型硅管
    • D、PNP型硅管

    正确答案:A

  • 第10题：

    根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为（）。

    • A、NPN型低频小功率硅晶体管
    • B、NPN型高频小功率硅晶体管
    • C、PNP型低频小功率锗晶体管
    • D、NPN型低频大功率硅晶体管

    正确答案:B

  • 第11题：

    在晶体三极管放大电路中，晶体三极管最高电位的一端应该是（）。

    • A、PNP型的基极
    • B、PNP型的集电极
    • C、NPN型的发射极
    • D、PNP型的发射极

    正确答案:D

  • 第12题：

    单选题
    测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5.3V和-6V，则该三极管的类型为（）。
    A

    硅PNP型

    B

    硅NPN型

    C

    锗PNP型

    D

    锗NPN型


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    晶体管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体(N型的或P型的)构成,故E极和C极可以互换使用。()

    此题为判断题(对，错)。


    参考答案：错

  • 第14题：

    单极型集成电路不包含（）.

    • A、普通晶体管（NPN管或PNP管）
    • B、P沟道MOS管
    • C、N沟道MOS管
    • D、互补型MOS（即CMOS）

    正确答案:A

  • 第15题：

    测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5、3V和-6V，则该三极管的类型为（）。

    • A、硅PNP型
    • B、硅NPN型
    • C、锗PNP型
    • D、锗NPN型

    正确答案:A

  • 第16题：

    半导体中的自由电子和空穴的数目相等，这样的半导体称为（）半导体。

    • A、N型
    • B、P型
    • C、本征
    • D、PNP型

    正确答案:C

  • 第17题：

    在本质半导体加入三价的硼，则成为（）。

    • A、N型
    • B、P型
    • C、NPN型
    • D、PNP型

    正确答案:B

  • 第18题：

    （）具有不同的低频小信号电路模型。

    • A、NPN型管和PNP型管
    • B、增强型场效应管和耗尽型场效应管
    • C、N沟道场效应管和P沟道场效应管
    • D、晶体管和场效应管

    正确答案:D

  • 第19题：

    无论是NPN型管还是PNP型管，它们内部均含有三个区，即发射区、基区和（）。


    正确答案:集电区

  • 第20题：

    PNP型或NPN型晶体管，其发射区和集电区均为同类型半导体（N型或P型）。所以在实际使用中发射极与集电极（）。

    • A、可以调换使用
    • B、不可以调换使用
    • C、PNP型可以调换使用，NPN型则不可以调换使用

    正确答案:B

  • 第21题：

    NPN型和PNP型晶体管的区别是（）

    • A、由两种不同材料硅和锗制成的
    • B、渗入的杂质元素不同
    • C、P区和N区的位置不同

    正确答案:C

  • 第22题：

    晶体管内部由3层半导体材料构成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别称为发射极和集电极。


    正确答案:错误

  • 第23题：

    晶体管的基本类型有PNP型和NPN型两种。


    正确答案:正确

  • 第24题：

    判断题
    标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

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