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在没有加栅压时就能形成沟道的MOS管称为增强型MOS管

题目

在没有加栅压时就能形成沟道的MOS管称为增强型MOS管

相似考题

1.vGS=0时,不能工作在放大区的场效应管是( )。A.结型管B耗尽型MOS管C增强型MOS管

2.在场效应管放大电路中,测得各极电位分别为UD=6V,US=3V,UG=1V,则该场效应管为()MOS管。A、N沟道耗尽型B、P沟道耗尽型C、P沟道增强型D、N沟道增强型

3.CMOS反相器是由一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组成的。()此题为判断题(对，错)。

4.增强型绝缘栅场效应管只有加一定的负栅压,才能形成导电沟道而导通。()此题为判断题(对，错)。

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  • 第1题：

    结型场效应管的类型有()。

    A.N沟道结型场效应管

    B.P沟道结型场效应管

    C.N沟道增强型MOS管

    D.P沟道增强型MOS管

    E.N沟道耗尽型MOS管

    F.P沟道耗尽型MOS管


    参考答案：AB

  • 第2题：

    增强型MOS管放大电路，为何不可采用自给栅偏压的结构形式？
    因为增强型MOS管要靠外加栅压才能形成导电通道，所以不适用于自给栅偏压电路形式。
    略

  • 第3题：

    单极型集成电路不包含（）.

    • A、普通晶体管（NPN管或PNP管）
    • B、P沟道MOS管
    • C、N沟道MOS管
    • D、互补型MOS（即CMOS）

    正确答案:A

  • 第4题：

    结型场效应管的类型有（）。

    • A、N沟道结型场效应管
    • B、P沟道结型场效应管
    • C、N沟道增强型MOS管
    • D、P沟道增强型MOS管
    • E、N沟道耗尽型MOS管
    • F、P沟道耗尽型MOS管

    正确答案:A,B

  • 第5题：

    MOS种类分为？（）

    • A、P沟道场管
    • B、Q沟道场管
    • C、D沟道场管
    • D、N沟道场管

    正确答案:A,D

  • 第6题：

    N沟道MOS管，VGS越向正值方向增大，ID越（）


    正确答案:大

  • 第7题：

    MOS场效应管按栅极开路时有无导电沟道分为增强型和（）两种类型。


    正确答案:耗尽型

  • 第8题：

    UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有（）。

    • A、结型管  
    • B、增强型MOS管  
    • C、耗尽型MOS管

    正确答案:A

  • 第9题：

    场效应管从结构上可分为两大类：（）、MOS；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型、（）。


    正确答案:结型；增强型

  • 第10题：

    更具结构不同，场效应管分为（）

    • A、N沟道和P沟道场效应管
    • B、NPN和PNP型场效应
    • C、MOS管和MNS管
    • D、结构和绝缘栅场效应管

    正确答案:D

  • 第11题：

    利用栅源电压控制漏极、源极之间的导电沟道的形成或消失，可以将MOS管作为开关器件使用。


    正确答案:正确

  • 第12题：

    问答题
    按MOS沟道随栅压正向和负向增加而形成或消失的机理，存在着哪两种类型的MOS器件？

    正确答案： 耗尽型：在VGS=0时导电沟道已经存在
    增强型：当VGS正到一定程度才会导通
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    绝缘栅场效应管又称为MOS管()

    此题为判断题(对，错)。


    答案：对

  • 第14题：

    结型场效应管可分为（）。

    • A、MOS管和MNS管
    • B、N沟道和P沟道
    • C、增强型和耗尽型
    • D、NPN型和PNP型

    正确答案:B

  • 第15题：

    按照导电沟道的不同，MOS管可分为（）。

    • A、NMOS
    • B、PMOS
    • C、CMOS
    • D、DMOS
    • E、SMOS

    正确答案:A,B

  • 第16题：

    场效应管的类型有（）。

    • A、结型场效应管
    • B、绝缘栅型场效应管
    • C、N沟道增强型MOS管
    • D、P沟道增强型MOS管
    • E、N沟道耗尽型MOS管
    • F、P沟道耗尽型MOS管

    正确答案:A,B

  • 第17题：

    UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（）。

    • A、N沟道结型管
    • B、增强型MOS管
    • C、耗尽型MOS管
    • D、P沟道结型管

    正确答案:B

  • 第18题：

    对于增强型N型沟道MOS管，VGS只能为（）并且只能当VGS（）时，才能形成Id。


    正确答案:为正；大于开启电压

  • 第19题：

    衬底为N型硅片的MOS管就是N沟道MOS场效应管。


    正确答案:错误

  • 第20题：

    某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）

    • A、P沟道耗尽型MOS管
    • B、N沟道耗尽型MOS管
    • C、P沟道增强型MOS管
    • D、N沟道增强型MOS管

    正确答案:B

  • 第21题：

    当UGS＝0时，（）管不可能工作在恒流区。

    • A、JFET
    • B、增强型MOS管
    • C、耗尽型MOS管
    • D、NMOS管

    正确答案:B

  • 第22题：

    CMOS反相器基本电路包括（）

    • A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管
    • B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管
    • C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管
    • D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型

    正确答案:A

  • 第23题：

    单选题
    绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为（）
    A

    P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管

    B

    增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管

    C

    N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管

    D

    N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    问答题
    简述MOS管的导电沟道是如何形成的。

    正确答案： N反型层与源漏两端的N型扩散层连通
    解析： 暂无解析

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