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NPN型晶体管和PNP型晶体管都含有三个掺杂区，分别是发射区，基区和集电区

题目

NPN型晶体管和PNP型晶体管都含有三个掺杂区，分别是发射区，基区和集电区

相似考题

1.晶体管的发射区的作用是向基区发射自由电子,集电区的作用是收集这些自由电子。()此题为判断题(对，错)。

2.关于BJT的结构特点说法错误的是()。A、基区很薄且掺杂浓度很低B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D、集电区面积大于发射区面积

3.晶体管的内部放大条件是:发射区重掺杂,基区轻掺杂且宽度很窄,集电极面积大等。()

4.三极管哪个区的掺杂浓度最高()A、基区B、发射区C、集电区D、不确定

参考答案和解析
C
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  • 第1题：

    NPN型晶体管的发射区是()型半导体,集电区是()型半导体,基区是()型半导体。


    参考答案：N N P

  • 第2题：

    晶体管的基区之所以做得很薄,是为了减少电子和空穴在基区的复合机会,从而使由发射区进入基区的载流子,绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。()

    此题为判断题(对，错)。


    参考答案：对

  • 第3题：

    晶体管的内部结构分为三个区,即发射区、基区和集电区;两个结为发射和集电结。()

    此题为判断题(对，错)。


    参考答案：正确

  • 第4题：

    晶体管的内部结构分为三个区，即发射区、基区和集电区；两个结为发射和集电结。


    正确答案:正确

  • 第5题：

    晶体三极管它有三个区和三个引出电极，分别是（）。

    • A、集电区（极）
    • B、基区（极）
    • C、控制区（极）
    • D、发射区（极）

    正确答案:A,B,D

  • 第6题：

    晶体管热噪声主要存在于（）电阻内。

    • A、基区
    • B、发射区
    • C、集电区
    • D、发射区和集电区

    正确答案:A

  • 第7题：

    无论是NPN型管还是PNP型管，它们内部均含有三个区，即发射区、基区和（）。


    正确答案:集电区

  • 第8题：

    NPN型和PNP型晶体管的区别是（）

    • A、由两种不同材料硅和锗制成的
    • B、渗入的杂质元素不同
    • C、P区和N区的位置不同

    正确答案:C

  • 第9题：

    晶体管内部由3层半导体材料构成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别称为发射极和集电极。


    正确答案:错误

  • 第10题：

    晶体管的基本类型有PNP型和NPN型两种。


    正确答案:正确

  • 第11题：

    单选题
    晶体管是由单层半导体材料组成的。有三个区域，中间的一层为（）。
    A

    基区

    B

    栅区

    C

    集电区

    D

    发射区


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    填空题
    晶体管包含三个区：集电区，（）和发射区。

    正确答案： 基区
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    NPN型和PNP型晶体管的区别是()。

    A、由两种不同的材料硅和锗制成

    B、掺入的杂质不同

    C、P区和N区的位置不同

    D、电流放大倍数不同


    参考答案：C

  • 第14题：

    晶体管能够放大的内部条件是()。

    A.两个背靠背的PN结

    B.自由电子与空穴都参与导电

    C.有三个掺杂浓度不同的区域

    D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大


    参考答案：D

  • 第15题：

    晶体管包含三个区：集电区，（）和发射区。


    正确答案:基区

  • 第16题：

    晶体管分为三层分别为（）

    • A、发射区
    • B、放大区
    • C、集电区
    • D、基区
    • E、扩张区

    正确答案:A,C,E

  • 第17题：

    每一类晶体管都是由基区、发射区和（）三个不同的导电区域构成的。


    正确答案:集电区

  • 第18题：

    根据国产半导体器件命名方法可知，3DG6为（）

    • A、NPN型低频小功率硅晶体管
    • B、NPN型高频小功率硅晶体管
    • C、PNP型低频小功率锗晶体管
    • D、NPN型低频大功率硅晶体管

    正确答案:B

  • 第19题：

    PNP型或NPN型晶体管，其发射区和集电区均为同类型半导体（N型或P型）。所以在实际使用中发射极与集电极（）。

    • A、可以调换使用
    • B、不可以调换使用
    • C、PNP型可以调换使用，NPN型则不可以调换使用

    正确答案:B

  • 第20题：

    根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为（）。

    • A、NPN型低频小功率硅晶体管
    • B、NPN型高频小功率硅晶体管
    • C、PNP型低频小功率锗晶体管
    • D、NPN型低频大功率硅晶体管

    正确答案:B

  • 第21题：

    晶体管符号上的箭头朝外，则表示为（）。

    • A、NPN型晶体管；
    • B、PNP型晶体管；
    • C、硅管；
    • D、锗管。

    正确答案:A

  • 第22题：

    三极管有三个PN结和三个区—发射区、集电区、基区。


    正确答案:错误

  • 第23题：

    填空题
    每一类晶体管都是由基区、发射区和（）三个不同的导电区域构成的。

    正确答案： 集电区
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    判断题
    标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

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