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三极管哪个区的掺杂浓度最高()A、基区B、发射区C、集电区D、不确定

题目
三极管哪个区的掺杂浓度最高()

A、基区

B、发射区

C、集电区

D、不确定

相似考题

1.三极管BJT制作时,通常基区掺杂浓度低;发射区的杂质浓度则很高。()

2.三极管三个区工艺特点各不相同：其中（）区掺杂浓度最高，（）区最薄，（）区结面积最大。备注：用汉字作答，多空答案用逗号隔开。）

3.NPN和PNP型三极管的区别取决于_______。A．半导体材料硅和锗的不同B．掺杂元素的不同C．掺杂浓度的不同D．P区和N区的位置不同

4.晶体三极管放大作用需满足的条件有()。A.内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度B.内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度C.外部条件，发射结正偏，集电结反偏D.外部条件，发射结反偏。集电结反偏

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  • 第1题：

    【判断题】三极管的基区掺杂浓度最高，集电区的面积最大。（）

    A．Y.是

    B．N.否


    发射

  • 第2题：

    9、三极管三个区工艺特点各不相同：其中（）区掺杂浓度最高，（）区最薄，（）区结面积最大。备注：用汉字作答，多空答案用逗号隔开。）


    发射区多数载流子浓度很高。基区很薄,多数载流子浓度很低。集电区面积很大,便于收集电子。

  • 第3题：

    晶体三极管中掺杂浓度最低的是（）。

    A．集电区

    B．基区

    C．发射区

    D．视情况而定


    C

  • 第4题：

    三极管 区的掺杂浓度最高、 区最薄、 区面积最大。


    发射，基，集电

  • 第5题：

    【单选题】关于三极管的结构特点，以下说法不正确的为（B ）

    A．基区很薄

    B．基区掺杂浓度最高

    C．发射区掺杂浓度最高

    D．发射结的结面积小于集电结的结面积


    B

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