niusouti.com
更多“28、场效应管主要工作原理是栅源电压对漏极电流的控制作用,但实际上漏极电流还受到漏源电压的影响。”相关问题
  • 第1题:

    功率MOSFET的极限参数指的是( )。

    A、最大漏极电流

    B、最小漏极电流

    C、最大许用漏-源电压

    D、最小许用漏-源电压


    正确答案:A,C

  • 第2题:

    场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。

    A、栅极电流

    B、栅源电压

    C、源极电压

    D、源极电流


    参考答案:B

  • 第3题:

    描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是()。

    • A、漏极电流,压漏-源电压,以栅极电压为参变量
    • B、漏极电流,栅极电压,以漏-源电压为参变量
    • C、基极电压,集电极电流,以集电极电压为参变量
    • D、漏极电流,栅极电流,以漏-源电压为参变量

    正确答案:B

  • 第4题:

    功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时,漏源极电压与栅极电流的比值。


    正确答案:错误

  • 第5题:

    场效应管是利用外加电压产生的()来控制漏极电流的大小的。

    • A、电流
    • B、电场
    • C、电压

    正确答案:B

  • 第6题:

    场效应管的工作原理是利用栅极电压对()电流的控制作用来作为放大器件。

    • A、原极;
    • B、漏极;
    • C、栅极;

    正确答案:B

  • 第7题:

    场效应管工作在饱和区时,其漏极电流iD和栅源电压VGS之间呈()关系。


    正确答案:平方

  • 第8题:

    场效应管是利用外加电压产生的()来控制漏极电流的大小的,因此,称它为()控制电流的器件。


    正确答案:电场;电压

  • 第9题:

    场效应晶体管的主要参数有()

    • A、开启电压
    • B、低频跨导
    • C、漏源击穿电压
    • D、最大耗散功率
    • E、最大漏极电流

    正确答案:A,B,C,D,E

  • 第10题:

    在绝缘栅型场效应管中,漏极电流是受栅压控制的,它是利用()

    • A、体内场效应而工作的
    • B、表面场效应而工作的
    • C、载流子导电而工作的

    正确答案:B

  • 第11题:

    判断题
    功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时,漏源极电压与栅极电流的比值。
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    多选题
    功率MOSFET的极限参数指的是()。
    A

    最大漏极电流

    B

    最小漏极电流

    C

    最大许用漏-源电压

    D

    最小许用漏-源电压


    正确答案: A,B
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。

    A、不能形成导电沟道

    B、漏极电压为零

    C、能够形成导电沟道

    D、漏极电流不为零


    参考答案:A

  • 第14题:

    场效应管的工作原理是利用栅极电压对()电流的控制作用来作为放大器件。

    A.原极;

    B.漏极;

    C.栅极;


    参考答案:B

  • 第15题:

    结型场效应管工作在线性区时,有放大作用。它是用栅源间的电压控制漏极电流的。由它构成的放大电路(),并有一定的电压放大倍数。

    • A、输入电阻很大;
    • B、输入电阻很小;
    • C、输出电阻很大;
    • D、输出电阻很小。

    正确答案:A

  • 第16题:

    绝缘栅场效应管的栅极与源极和()之间是完全绝缘的。

    • A、漏极
    • B、正极
    • C、负极
    • D、源极

    正确答案:A

  • 第17题:

    场效应管中,夹断电压表示漏极电流为()时的栅源电压。


    正确答案:0

  • 第18题:

    场效应管是通过()改变漏极电流的。

    • A、栅极电流
    • B、栅源电压
    • C、漏源电压

    正确答案:B

  • 第19题:

    场效应管共漏极放大电路的信号是从()

    • A、栅极输入,漏极输出
    • B、源极输入,漏极输出
    • C、栅极输入,源极输出
    • D、漏极输入,源极输出

    正确答案:C

  • 第20题:

    JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制,来改变()的宽窄,从而控制漏极电流的大小;而MOSFET则是利用栅源电压的大小,来改变半导体表面()的多少,从而控制漏极电流的大小。


    正确答案:导电沟道;感生电荷

  • 第21题:

    场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数,其值愈大,场效应管的控制能力愈强。


    正确答案:正确

  • 第22题:

    利用栅源电压控制漏极、源极之间的导电沟道的形成或消失,可以将MOS管作为开关器件使用。


    正确答案:正确

  • 第23题:

    单选题
    场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的。()
    A

    栅极电流

    B

    栅源电压

    C

    漏源电压

    D

    栅漏电压


    正确答案: C
    解析: 暂无解析

  • 第24题:

    单选题
    场效应管是以()控制漏极电流ID。
    A

    UDG

    B

    UDS

    C

    UGS

    D

    IGS


    正确答案: D
    解析: 暂无解析