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通过加热，使待淀积的金属原子获得足够的能量，脱离金属表面蒸发出来，在飞行途中遇到硅片，就淀积在硅表面，形成金属薄膜，该工艺过程是A．CVDB．氧化C．蒸发D．溅射

题目

通过加热，使待淀积的金属原子获得足够的能量，脱离金属表面蒸发出来，在飞行途中遇到硅片，就淀积在硅表面，形成金属薄膜，该工艺过程是

A．CVD

B．氧化

C．蒸发

D．溅射

相似考题

1.电镀是在直流电场作用下,利用( )原理使金属或合金沉积在零件表面上,形成均匀、致密、结合力强的金属( )的过程。A.电离B.电解C.镀层D.薄膜

2.磨平是金属表面在快速磨削的作用下，表面温度升高，形成一层无结构的薄膜。( )

3.热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量采用什么办法？

4.在金属表面涂敷涂料形成固态薄膜，保护金属免于腐蚀。此题为判断题(对，错)。

更多“通过加热，使待淀积的金属原子获得足够的能量，脱离金属表面蒸发出来，在飞行途中遇到硅片，就淀积在硅表面，形成金属薄膜，该工艺过程是”相关问题

  • 第1题：

    溅射法是由（）轰击靶材表面，使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。

    • A、电子
    • B、中性粒子
    • C、带能离子

    正确答案:C

  • 第2题：

    在半导体工艺中，如果淀积的薄膜不是连续的，存在一些空隙，则（）。

    • A、使薄膜的介电常数变大
    • B、可能引入杂质
    • C、可能使薄膜层间短路
    • D、使薄膜介电常数变小
    • E、可能使薄膜厚度增加

    正确答案:B,C

  • 第3题：

    激光加热金属主要是通过（）同金属材料表面的电子和声子的能量交换，使处理层材料温度升高。

    • A、电子
    • B、离子
    • C、光子
    • D、原子

    正确答案:C

  • 第4题：

    在一个凹陷的表面上焊接时，会造成金属上升，形成一个拱形，解决这个问题的方法是（）。

    • A、可采用铁锤在垫铁上敲击，使金属表面得以降低
    • B、采用拉伸的方法使凹陷的金属表面升高
    • C、在凹陷处用塑料填充剂垫平
    • D、加热

    正确答案:A

  • 第5题：

    关于氢脆说法，正确的是（）。

    • A、原子氢附着在金属表面上，使金属表面产生断裂的现象，称为氢脆
    • B、由于氢扩散到金属内部，使材料发生脆化的现象，称为氢脆
    • C、氢脆是氢原子将金属氧化，使氢脆部位断裂
    • D、氢脆是氢原子将金属还原，使氢脆部位断裂

    正确答案:B

  • 第6题：

    对于浓度覆盖很宽的杂质原子，可以采用（）方法引入到硅片中。

    • A、离子注入
    • B、溅射
    • C、淀积
    • D、扩散

    正确答案:D

  • 第7题：

    当（）、可见光、红外线照射到金属表面上时，会使金属表面的电子获得能量，脱离金属，变成光电子，存在光电发射现象。


    正确答案:紫外线

  • 第8题：

    单选题
    下列各种方法中： ①金属表面涂抹油漆， ②改变金属的内部结构， ③保持金属表面清洁干燥， ④在金属表面进行电镀， ⑤使金属表面形成致密的氧化物薄膜。 能对金属起到防止或减缓腐蚀作用的措施是（）
    A

    ①②③④

    B

    ①③④⑤

    C

    ①②④⑤

    D

    全部


    正确答案： B
    解析： 金属防护思路：防止金属与氧化性介质直接接触、防止金属形成表面电解质溶液层。

  • 第9题：

    单选题
    化学气相淀积SiO2与热生长SiO2相比较，下面哪些说法是正确的：（）。  1.热生长SiO2只能在Si衬底上生长； 2.CVD SiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上； 3.CVD SiO2，衬底硅不参加反应； 4.CVD SiO2，温度低。
    A

    1、2

    B

    2、4

    C

    1、4

    D

    1、2、4

    E

    1、2、3、4


    正确答案： E
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    填空题
    当（）照射到金属表面上时，会使金属表面的电子获得能量，脱离金属，变成光电子，存在光电发射现象。

    正确答案： 紫外线、可见光、红外线
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    按照光量子假说，用光照射金属表面，电子就可以接受光子并获得能量，如果这份能量大于金属表面的逸出功，电子就会（）
    A

    运动

    B

    逸出金属表面

    C

    进入金属内部


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    判断题
    预淀积扩散是为了提供足够的杂质总量，而再分布扩散是为了达到需要的扩散深度并同时在硅的表面获得一定厚度的氧化层。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms-1，表面反应速率系数ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择（1）冷壁，石墨支座型；（2）热壁，堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。


    正确答案: 反应室类型热壁：反应室腔壁与硅片及支撑件同时加热。一般为电阻丝加热，可精确控制反应腔温度和均匀性。适合对温度控制要求苛刻的化学反应控制淀积系统，腔内各处都发生薄膜生长。冷壁：仅对硅片和支撑件加热，一般采用辐照加热和射频加热，升降温快速，但温度均匀性差，适合对温度要求不高的质量输运控制。冷壁系统能够降低在侧壁上的淀积，减小了反应剂的损耗，也减小壁上颗粒剥离对淀积薄膜质量的影响。

  • 第14题：

    按照光量子假说，用光照射金属表面，电子就可以接受光子并获得能量，如果这份能量大于金属表面的逸出功，电子就会（）

    • A、运动
    • B、逸出金属表面
    • C、进入金属内部

    正确答案:B

  • 第15题：

    按照光量子假说，用光照射金属表面，电子就可以接受光子并获得能量，如果这份能量大于金属表子就会（）

    • A、运动
    • B、逸出金属表面
    • C、进入金属内部

    正确答案:B

  • 第16题：

    下列哪种说法是光电效应（）

    • A、光照射到金属表面，会发生光的反射
    • B、光照射到不同介质表面，其传播方向会发生改变
    • C、光若照射到金属表面，就一定会有电子从金属表面跑出来
    • D、光照射到金属表面，在一定的条件下，金属内部会形成电流

    正确答案:D

  • 第17题：

    最小保护电位是指（）。

    • A、使金属腐蚀过程停止时，金属表面所必须达到的最大电位
    • B、使金属腐蚀过程停止时，金属表面所必须达到的最小电位
    • C、金属开始腐蚀时，金属表面所必须达到的最小电位
    • D、金属开始腐蚀时，金属表面所必须达到的最大电位

    正确答案:B

  • 第18题：

    在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。

    • A、均匀性
    • B、表面平整度
    • C、自由应力
    • D、纯净度
    • E、电容

    正确答案:A,B,C,D,E

  • 第19题：

    利用防锈油脂的特性，将防锈油脂喷涂在金属表面，（），防止在金属表面形成水膜和氧化层，以达到防锈的目的。

    • A、使金属与空气隔绝
    • B、保护金属表面
    • C、形成一层油脂
    • D、牢固附着表面

    正确答案:A

  • 第20题：

    填空题
    当（）、可见光、红外线照射到金属表面上时，会使金属表面的电子获得能量，脱离金属，变成光电子，存在光电发射现象。

    正确答案： 紫外线
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    判断题
    CVD是利用某种物理过程，例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底（硅）表面上，并淀积成薄膜。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    单选题
    最小保护电位是指（）。
    A

    使金属腐蚀过程停止时，金属表面所必须达到的最大电位

    B

    使金属腐蚀过程停止时，金属表面所必须达到的最小电位

    C

    金属开始腐蚀时，金属表面所必须达到的最小电位

    D

    金属开始腐蚀时，金属表面所必须达到的最大电位


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    问答题
    化学气相淀积薄膜的生长过程是怎样的？

    正确答案： （1）参加反应的气体混合物被输运到沉积区；
    （2）反应物由主气流扩散到衬底表面；
    （3）反应物分钟吸附在衬底表面上；
    （4）吸附物分子间或吸附分子与气体分子间发生化学反应，生成原子和化学反应副产物，原子沿衬底表面迁移并形成薄膜；
    （5）反应副产物分子从衬底表面解吸。
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    判断题
    电镀是在外电源作用下，使金属或非金属表面发生直接反应，使金属或非金属表面沉积一层金属的过程。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

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