开启电压是增强型场效应管产生导电沟道所需的栅源电压。

第1题：

第2题：

绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种

正确答案:正确

第3题：

场效应管的类型有（）。

• A、结型场效应管
• B、绝缘栅型场效应管
• C、N沟道增强型MOS管
• D、P沟道增强型MOS管
• E、N沟道耗尽型MOS管
• F、P沟道耗尽型MOS管

正确答案:A,B

第4题：

场效应管中，夹断电压表示漏极电流为（）时的栅源电压。

正确答案:0

第5题：

MOS场效应管按栅极开路时有无导电沟道分为增强型和（）两种类型。

正确答案:耗尽型

第6题：

当u_GS=0时，漏源间存在导电沟道的称为（）型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为（）型场效应管。

正确答案:耗尽；增强

第7题：

当栅源电压等于零时，增强型FET（）导电沟道，结型FET的沟道电阻（）。

正确答案:无；最小

第8题：

根据栅—源电压为零时，导电沟道是否存在，将场效应管分为（）和耗尽型。

正确答案:增强型

第9题：

N沟道JFET的跨导g_m是（）

• A、一个固定值
• B、随电源电压V_DD增加而加大
• C、随静态栅源电压V_GS增加而加大
• D、随静态栅源电压V_GS增加而减小

正确答案:C

第10题：

结型场效应管的栅、源极之间应加（）电压。

正确答案:反向

第11题：

利用栅源电压控制漏极、源极之间的导电沟道的形成或消失，可以将MOS管作为开关器件使用。

正确答案:正确

第12题：

第13题：

N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）

• A、正极性
• B、负极性
• C、零
• D、不能确定

正确答案:A

第14题：

结型场效应管的类型有（）。

• A、N沟道结型场效应管
• B、P沟道结型场效应管
• C、N沟道增强型MOS管
• D、P沟道增强型MOS管
• E、N沟道耗尽型MOS管
• F、P沟道耗尽型MOS管

正确答案:A,B

第15题：

结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。

正确答案:正确

第16题：

结型场效应管利用删源极间所加的（）来改变导电沟道的电阻。

• A、反偏电压
• B、反向电流
• C、正偏电压
• D、正向电流

正确答案:A

第17题：

结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。

正确答案:正确

第18题：

使结型场效应管I_D=0的临界栅源电压称为（夹断）电压，N沟道JFET的U_GS（off）（）0，P沟道JFET的U_GS（off）（）0。

正确答案:＜；＞

第19题：

场效应管是通过（）改变漏极电流的。

• A、栅极电流
• B、栅源电压
• C、漏源电压

正确答案:B

第20题：

场效应管中，Idss表示栅源电压为零时的（）电流。

正确答案:漏极

第21题：

场效应管从结构上可分为两大类：（）、MOS；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型、（）。

正确答案:结型；增强型

第22题：

EMOS管存在导电沟道时，栅源之间的电压必定大于零。

正确答案:错误

第23题：

第24题：