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如下，关于MOSFET的开关速度，表述正确的是：A．MOSFET不存在少子储存效应，开通关断过程非常迅速。B．MOSFET是场控器件，静态时几乎不需输入电流，开通关断过程时间长。C．MOSFET是场控器件，静态时需输入大电流，开通关断过程时间长。D．MOSFET是场控器件，静态时栅极需输入大电流，开通关断过程非常迅速。

题目

如下，关于MOSFET的开关速度，表述正确的是：

A．MOSFET不存在少子储存效应，开通关断过程非常迅速。

B．MOSFET是场控器件，静态时几乎不需输入电流，开通关断过程时间长。

C．MOSFET是场控器件，静态时需输入大电流，开通关断过程时间长。

D．MOSFET是场控器件，静态时栅极需输入大电流，开通关断过程非常迅速。

相似考题

1.有关电力MOSFET的说法错误的是()。A.属于电压控制器件B.开关速度慢C.工作频率高D.无二次击穿问题

2.MOSFET管用于开关频率在()kHz以上的开关电源中。A、50B、80C、100D、150

3.电力MOSFET的开关频率越高,所需要的驱动功率( )。A、越小B、不变C、越大D、不定

4.比较而言,下列半导体器件中开关速度最快的是()。A.GTOB.GTRC.MOSFET

更多“如下，关于MOSFET的开关速度，表述正确的是：”相关问题

  • 第1题：

    IGBT有哪些缺点?( )

    A、开关速度不及电力MOSFET

    B、开关速度比电力MOSFET快

    C、电压、电流容量不及GTO

    D、电压、电流容量比GTO大


    正确答案:A,C

  • 第2题：

    开关电源中MOSFET管稳态工作时,栅板控制电流很小。()

    此题为判断题(对，错)。


    参考答案：正确

  • 第3题：

    已知电路如图所示，设开关在t=0时刻断开，那么，如下表述中正确的是（　　）。



    答案：C
    解析：

    在一定条件下电路达到一种稳定状态，当条件改变，电路就向新的稳定状态变化，电路从一种稳态向另一种稳态变化的过程称为过渡过程或暂态过程。产生暂态过程的外因是电路发生换路，例如接通或断开等；内因是电路中含有储能元件。它们所储存的能量不能跃变，其积累和消耗都需要一定的时间，故而发生暂态过程。

  • 第4题：

    开关电源中MOSFET管稳态工作时，栅板控制电流很小。（）


    正确答案:正确

  • 第5题：

    功率开关器件：主要采用（）或（）；现在已经采用一种新型的开关组合方式：MOSFET和IGBT（）。


    正确答案:MOSFET；IGBT；并联

  • 第6题：

    高频开关电源中，常用的电力电子器件为（）

    • A、二极管
    • B、MOSFET、IGBT
    • C、电感
    • D、电容

    正确答案:B

  • 第7题：

    目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、晶闸管、功率集成器件等等。


    正确答案:错误

  • 第8题：

    从最大容量、开关频率和驱动电路三方面比较SCR、Power MOSFET和IGBT的特性。


    正确答案:最大容量递增顺序为Power MOSFET、IGBT、SCR；开关频率递增顺序为SCR、IGBT、Power MOSFET；SCR为电流型驱动；而Power MOSFET和IGBT为电压型驱动。

  • 第9题：

    IGBT是一个复合型的器件，它是（）。

    • A、GTR驱动的MOSFET
    • B、MOSFET驱动的GTR
    • C、MOSFET驱动的晶闸管
    • D、MOSFET驱动的GTO

    正确答案:B

  • 第10题：

    试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。


    正确答案:Power MOSFET为单极性器件，没有少数载流子存贮效应，反向恢复时间很短。

  • 第11题：

    单选题
    GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中，哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件（）。
    A

    GTO和GTR；

    B

    TRIAC和IGBT；

    C

    MOSFET和IGBT；

    D

    SCR和MOSFET；


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    填空题
    与GTR相比MOSFET的优点有：开关速度快、损耗低、驱动功率小和（）等优点。

    正确答案： 无二次击穿
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    开关电源中采用的MOSFET功率管,功耗较大。()

    此题为判断题(对，错)。


    参考答案：错误

  • 第14题：

    目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、晶闸管、功率集成器件等等。 ()

    此题为判断题(对，错)。


    答案：错

  • 第15题：

    与GTR相比MOSFET的优点有：开关速度快、损耗低、驱动功率小和（）等优点。


    正确答案:无二次击穿

  • 第16题：

    艾默生开关电源的DC/AC变换器中，以下不作为功率开关管使用的时（）。

    • A、SCR
    • B、IGBT
    • C、MOSFET

    正确答案:A

  • 第17题：

    艾默生开关电源的DC/AC变换器中，以下不作为功率开关管使用的是（）。

    • A、SCR
    • B、IGBT
    • C、MOSFET

    正确答案:A

  • 第18题：

    开关电源中采用的MOSFET功率管，功耗较大。（）


    正确答案:错误

  • 第19题：

    目前开关电源的开关器件有（）。

    • A、SCR
    • B、IGBT
    • C、EMI
    • D、MOSFET

    正确答案:B,D

  • 第20题：

    在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是（），单管输出功率最大的是（），应用最为广泛的是（）。


    正确答案:MOSFET；GTO；IGBT

  • 第21题：

    IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而（），开关速度（）电力MOSFET 。


    正确答案:略有下降；小于

  • 第22题：

    填空题
    在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是（），单管输出功率最大的是（），应用最为广泛的是（）。

    正确答案： MOSFET,GTO,IGBT
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    问答题
    试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。

    正确答案： Power MOSFET为单极性器件，没有少数载流子存贮效应，反向恢复时间很短。
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    填空题
    IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而（），开关速度（）电力MOSFET 。

    正确答案： 略有下降,小于
    解析： 暂无解析

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