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刻蚀工艺有哪两种类型？简单描述各类刻蚀工艺。

题目

刻蚀工艺有哪两种类型？简单描述各类刻蚀工艺。

相似考题

1.刻蚀方法有哪些?()A.化学刻蚀B.离子刻蚀C.电解刻蚀D.以上均不是

2.分别写出刻蚀及去PSG的工艺控制流程？

3.有机性气体大多产生在下列哪道工艺（）。A、离子注入B、刻蚀C、扩散D、光刻

4.通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。A、光刻胶B、衬底C、表面硅层D、扩散区E、源漏区

参考答案和解析
正确答案:刻蚀工艺：干法刻蚀和湿法刻蚀。
干法刻蚀是把硅片表面曝露于气态中产生的等离子体，等离子体通过光刻胶中开出的窗口，与硅片发生物理或化学反应（或这两种反应），从而去掉曝露的表面材料，一般用于亚微米尺寸。
湿法刻蚀中，液体化学试剂（如酸、碱和溶剂等）以化学方式去除硅片表面的材料，一般用于尺寸较大的情况下（大于3微米）。
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  • 第1题：

    试分析背沟道刻蚀型的5次光刻中过孔的工艺难点。


    正确答案:1）刻蚀时间不能太长。在TFT漏极上过孔，需要刻蚀钝化层P-SiNx约为2500Å，能形成良好的接触环，并且不能刻蚀漏极上面的顶Mo膜层。否则在ITO接触的时候，ITO会把Al还原，所以刻蚀时间不能太长。
    2）刻蚀时间又不能太短。在外引线过孔时，需要刻蚀钝化层和绝缘层两层SiNx，钝化层的P-SiNx约2500Å，绝缘层SiNx约3500Å共6500Å，为保证刻蚀干净，刻蚀时间不能太短。因此，刻蚀条件的控制非常关键。

  • 第2题：

    微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。

    • A、干法刻蚀、湿法刻蚀
    • B、离子束刻蚀、激光刻蚀
    • C、溅射加工、直写加工
    • D、以上都可以

    正确答案:A

  • 第3题：

    在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。

    • A、刻蚀
    • B、氧化
    • C、淀积
    • D、光刻

    正确答案:D

  • 第4题：

    问答题
    定义刻蚀速率并描述它的计算公式。为什么希望有高的刻蚀速率？

    正确答案： 刻蚀速率=△T/t（A/min）△T=去掉材料的厚度t=刻蚀所用的时间高的刻蚀速率，可以通过精确控制刻蚀时间来控制刻蚀的厚度。
    解析： 暂无解析

  • 第5题：

    单选题
    微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。
    A

    a.离子束刻蚀、激光刻蚀

    B

    b.干法刻蚀、湿法刻蚀

    C

    c.溅射加工、直写加工


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第6题：

    填空题
    圆筒式等离子刻蚀的（），适用于（）工艺；反应离子刻蚀，（），可以用通入不同的工艺气体，实现好的选择性，适合于对（）和（）的刻蚀。

    正确答案： 方向性差，刻蚀速率慢，过刻蚀性能好,去胶,方向性好，刻蚀速率高,SiO2、Al、Si3N4,多晶硅
    解析： 暂无解析

  • 第7题：

    问答题
    分别写出刻蚀及去PSG的工艺控制流程？

    正确答案： 刻蚀的流程：预抽，主抽，送气，辉光，清洗，预抽，主抽，充气
    去PSG的流程：酸洗（HF），溢流水洗，喷淋，甩干
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    问答题
    简述IC芯片工艺过程中包括的刻蚀工艺过程

    正确答案： （1）图形化和整面全*区刻蚀。
    （2）单晶硅刻蚀用于浅槽隔离。
    （3）多晶硅刻蚀用于界定栅和局部互连线。
    （4）氧化物刻蚀界定接触窗和金属层间接触孔。
    （5）金属刻蚀形成金属互连线。
    （6）氧化层CMP停止在氮化硅层后的氮化硅剥除工艺。
    （7）电介质的非等向性回刻蚀形成侧壁空间层。
    （8）钛金属硅化物形成合金之后的钛剥离。
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    判断题
    对于大马士革工艺，重点是在于金属的刻蚀而不是介质的刻蚀。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    填空题
    微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。

    正确答案： 三束加工技术,牺牲层技术,外延生长技术
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    从刻蚀工艺上可以将刻蚀分为什么种类？

    正确答案： 干法刻蚀和湿法刻蚀
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    问答题
    在STI的刻蚀工艺过程中，要注意哪些工艺参数？

    正确答案： ①STI etch（刻蚀）的角度；
    ②STI etch 的深度；
    ③STI etch 后的CD尺寸大小控制。
    （CD control， CD=critical dimension）
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    刻蚀工艺会影响电池片的哪项电性能？（）

    • A、并联电阻
    • B、开路电压
    • C、短路电流
    • D、串联电阻

    正确答案:A

  • 第14题：

    （）是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。

    • A、刻蚀速率
    • B、刻蚀深度
    • C、移除速率
    • D、刻蚀时间

    正确答案:A

  • 第15题：

    微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。


    正确答案:超微机械加工；封接技术；分子装配技术

  • 第16题：

    填空题
    刻蚀是用（）或（）有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（）。

    正确答案： 化学方法,物理方法,在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形
    解析： 暂无解析

  • 第17题：

    单选题
    无刻蚀镀铁是为了（）而出现的镀铁新工艺。Ⅰ.提高镀铁质量；Ⅱ.发展镀铁工艺；Ⅲ.克服刻蚀处理的缺点；Ⅳ.提高镀铁效率；Ⅴ.简化工艺。
    A

    Ⅰ＋Ⅲ＋Ⅴ

    B

    Ⅰ＋Ⅳ＋Ⅴ

    C

    Ⅱ＋Ⅲ＋Ⅴ

    D

    Ⅱ＋Ⅳ＋Ⅴ


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第18题：

    判断题
    大马士革工艺的重点在于介质的刻蚀而不是金属的刻蚀。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第19题：

    填空题
    刻蚀剖面指的是（），有两种基本的刻蚀剖面（）刻蚀剖面和（）刻蚀剖面。

    正确答案： 被刻蚀图形的侧壁形状,各向同性,各向异性
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    问答题
    实用的等离子体刻蚀工艺必须满足哪些条件？

    正确答案： 1.反应产物是挥发性的；
    2.选择比率高；
    3.刻蚀速率快；
    4.具有好的终点灵敏性；
    5.有好的各向异性刻蚀速率。
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    问答题
    刻蚀工艺的目的是什么，这个区中最常用的设备是什么？

    正确答案： 目的：硅片上没有光刻胶保护的地方留下永久的图形。
    常用设备：等离子刻蚀机，等离子体去胶机和湿法清洗设备。
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    问答题
    简述刻蚀的概念、工艺目的、分类、应用。

    正确答案： 概念：用化学或物理的方法，有选择地去除硅片表面层材料的过程称为刻蚀。
    工艺目的：把光刻胶图形精确地转移到硅片上，最后达到复制掩膜版图形的目的。刻蚀是在硅片上复制图形的最后图形转移工艺，是集成电路制造的重要工艺之一。
    刻蚀的分类：①按工艺目的分类：有图形刻蚀、无图形刻蚀。无图形刻蚀：材料去除和回蚀。
    ②按工艺手段分类：干法刻蚀和湿法刻蚀。
    ③按刻蚀材料分类：金属刻蚀、介质刻蚀、硅刻蚀。
    应用：在硅片上制作不同的特征图形，包括选择性氧化的氮化硅掩蔽层、沟槽隔离和硅槽电容的沟槽、多晶硅栅、金属互联线、接触孔和通孔。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    填空题
    集成电路制造工艺技术主要包括：热工艺、（）、光刻、清洗与刻蚀、金属化、表面平坦化。

    正确答案： 离子注入
    解析： 暂无解析

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