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通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。A、光刻胶B、衬底C、表面硅层D、扩散区E、源漏区

题目

通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。

  • A、光刻胶
  • B、衬底
  • C、表面硅层
  • D、扩散区
  • E、源漏区
相似考题

1.刻蚀工艺有哪两种类型？简单描述各类刻蚀工艺。

2.在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。A、单晶硅刻蚀B、多晶硅刻蚀C、二氧化硅刻蚀D、氮化硅刻蚀

3.晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。A、n型掺杂区B、P型掺杂区C、栅氧化层D、场氧化层

4.在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气，能够提高刻蚀的速率。A、铜B、铝C、金D、二氧化硅

参考答案和解析
正确答案:A,B
更多“通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。A、光刻胶B、衬底C、表面硅层D、扩散区E、源漏区”相关问题

  • 第1题：

    下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。

    • A、ARC可以是硅的氮化物
    • B、可用干法刻蚀除去
    • C、ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成
    • D、ARC在刻蚀中也可做为掩蔽层
    • E、ARC膜也可以通过CVD的方法形成

    正确答案:A,B,C,D,E

  • 第2题：

    微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。

    • A、干法刻蚀、湿法刻蚀
    • B、离子束刻蚀、激光刻蚀
    • C、溅射加工、直写加工
    • D、以上都可以

    正确答案:A

  • 第3题：

    晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。

    • A、除去光刻胶中剩余的溶剂
    • B、增强光刻胶对晶片表面的附着力
    • C、提高光刻胶的抗刻蚀能力
    • D、有利于以后的去胶工序
    • E、减少光刻胶的缺陷

    正确答案:A,B,C,E

  • 第4题：

    （）是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。

    • A、刻蚀速率
    • B、刻蚀深度
    • C、移除速率
    • D、刻蚀时间

    正确答案:A

  • 第5题：

    由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。

    • A、刻蚀速率
    • B、选择性
    • C、各向同性
    • D、各向异性

    正确答案:B

  • 第6题：

    硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于（）

    • A、体刻蚀加工对基体材料进行加工，而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工
    • B、体刻蚀加工不对基体材料进行加工，而面刻蚀加工对衬底材料进行加工
    • C、体刻蚀加工可获得高纵横比的结构，而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构

    正确答案:C

  • 第7题：

    问答题
    二氧化硅，铝，硅和光刻胶刻蚀分别使用什么化学气体来实现干法刻蚀？

    正确答案： 刻蚀硅采用的化学气体为CF4/O2和CL2.刻蚀二氧化硅采用的化学气体为CHF3. 刻蚀铝采用的化学气体为CL2和BCL2.刻蚀光刻胶采用的化学气体为O2.
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    单选题
    微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。
    A

    a.离子束刻蚀、激光刻蚀

    B

    b.干法刻蚀、湿法刻蚀

    C

    c.溅射加工、直写加工


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    填空题
    芯片硅片制造厂可以分为6个独立的生产区：扩散区、（）、刻蚀区、（）、（）和抛光区。

    正确答案： 光刻区,注入区,薄膜区
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    判断题
    刻蚀速率通常正比于刻蚀剂的浓度。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    刻蚀工艺的目的是什么，这个区中最常用的设备是什么？

    正确答案： 目的：硅片上没有光刻胶保护的地方留下永久的图形。
    常用设备：等离子刻蚀机，等离子体去胶机和湿法清洗设备。
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    判断题
    各向异性的刻蚀剖面是在所有方向上（横向和垂直方向）以相同的刻蚀速率进行刻蚀。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。

    • A、二氧化硅
    • B、氮化硅
    • C、单晶硅
    • D、多晶硅

    正确答案:A

  • 第14题：

    哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。


    正确答案:多晶硅等离子刻蚀用的化学气体通常是氯气、溴气或二者混合气体。
    刻蚀多晶硅的三步工艺：
    1.预刻蚀，用于去除自然氧化层、硬的掩蔽层和表面污染物来获得均匀的刻蚀。
    2.接下来的是刻至终点的主刻蚀。这一步用来刻蚀掉大部分的多晶硅膜，并不损伤栅氧化层和获得理想的各向异性的侧壁剖面。
    3.最后一步是过刻蚀，用于去除刻蚀残留和剩余多晶硅，并保证对栅氧化层的高选择比。这一步应避免在多晶硅周围的栅氧化层形成微槽。

  • 第15题：

    单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的媒介物。

    • A、氮化硅
    • B、二氧化硅
    • C、光刻胶
    • D、多晶硅

    正确答案:B

  • 第16题：

    下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。

    • A、二氧化硅氮化硅
    • B、多晶硅硅化金属
    • C、单晶硅多晶硅
    • D、铝铜
    • E、铝硅

    正确答案:A,E

  • 第17题：

    刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。

    • A、选择性
    • B、均匀性
    • C、轮廓
    • D、刻蚀图案

    正确答案:B

  • 第18题：

    可以用浓硫酸刻蚀晶硅表面。


    正确答案:错误

  • 第19题：

    问答题
    定义刻蚀速率并描述它的计算公式。为什么希望有高的刻蚀速率？

    正确答案： 刻蚀速率=△T/t（A/min）△T=去掉材料的厚度t=刻蚀所用的时间高的刻蚀速率，可以通过精确控制刻蚀时间来控制刻蚀的厚度。
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    判断题
    有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    问答题
    哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。

    正确答案： 多晶硅等离子刻蚀用的化学气体通常是氯气、溴气或二者混合气体。刻蚀多晶硅的三步工艺：
    1.预刻蚀，用于去除自然氧化层、硬的掩蔽层和表面污染物来获得均匀的刻蚀。
    2.接下来的是刻至终点的主刻蚀。这一步用来刻蚀掉大部分的多晶硅膜，并不损伤栅氧化层和获得理想的各向异性的侧壁剖面。
    3.最后一步是过刻蚀，用于去除刻蚀残留和剩余多晶硅，并保证对栅氧化层的高选择比。这一步应避免在多晶硅周围的栅氧化层形成微槽。
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    单选题
    硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于（）。
    A

    a.体刻蚀加工对基体材料进行加工，而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工；

    B

    b.体刻蚀加工不对基体材料进行加工，而面刻蚀加工对衬底材料进行加工；

    C

    c.体刻蚀加工可获得高纵横比的结构，而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构；


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    问答题
    从刻蚀工艺上可以将刻蚀分为什么种类？

    正确答案： 干法刻蚀和湿法刻蚀
    解析： 暂无解析

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