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有机性气体大多产生在下列哪道工艺（）。A、离子注入B、刻蚀C、扩散D、光刻
题目
有机性气体大多产生在下列哪道工艺（）。
- A、离子注入
- B、刻蚀
- C、扩散
- D、光刻
相似考题
参考答案和解析
正确答案:D
更多“有机性气体大多产生在下列哪道工艺（）。A、离子注入B、刻蚀C、扩散D、光刻”相关问题
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第1题：
实现超微图形成像的（）技术一直是推动集成电路工艺技术水平发展的核心驱动力。
- A、光刻
- B、刻蚀
- C、氧化
- D、溅射
正确答案:A -
第2题：
光刻和刻蚀的目的是什么？
正确答案:光刻的目的是将电路图形转移到覆盖于硅片表面的光刻胶上，而刻蚀的目的是在硅片上无光刻胶保护的地方留下永久的图形。即将图形转移到硅片表面。 -
第3题：
在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。
- A、刻蚀
- B、氧化
- C、淀积
- D、光刻
正确答案:D -
第4题：
问答题二氧化硅，铝，硅和光刻胶刻蚀分别使用什么化学气体来实现干法刻蚀？正确答案： 刻蚀硅采用的化学气体为CF4/O2和CL2.刻蚀二氧化硅采用的化学气体为CHF3. 刻蚀铝采用的化学气体为CL2和BCL2.刻蚀光刻胶采用的化学气体为O2.解析： 暂无解析 -
第5题：
判断题光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析 -
第6题：
填空题圆筒式等离子刻蚀的（），适用于（）工艺；反应离子刻蚀，（），可以用通入不同的工艺气体，实现好的选择性，适合于对（）和（）的刻蚀。正确答案： 方向性差，刻蚀速率慢，过刻蚀性能好,去胶,方向性好，刻蚀速率高,SiO2、Al、Si3N4,多晶硅解析： 暂无解析 -
第7题：
单选题在较先进的集成电路制造工艺中，通常采（）来实现掺杂。A刻蚀
B离子注入
C光刻
D金属化
正确答案： B解析： 暂无解析 -
第8题：
判断题在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。A对
B错
正确答案： 对解析： 暂无解析 -
第9题：
问答题光刻和刻蚀的目的是什么？正确答案： 光刻的目的是将电路图形转移到覆盖于硅片表面的光刻胶上，而刻蚀的目的是在硅片上无光刻胶保护的地方留下永久的图形。即将图形转移到硅片表面。解析： 暂无解析 -
第10题：
问答题试对比分析扩散工艺和离子注入工艺的特征和特点。正确答案： 扩散是高温工艺，需要SiO2这样的耐高温硬掩膜，其扩散形成的结深较深。扩散是各向同性的，因此有较大的横向扩散效应。扩散工艺不能独立地控制掺杂浓度和结深。
离子注入是等温工艺，可在室温下进行注入，因而光刻胶就可作为其掩膜。离子注入可以独立控制其掺杂浓度和结深，能形成浅结、高掺杂浓度。离子注入是各向异性的，横向扩散效应远小于高温热扩散工艺，特别适合深亚微米小尺寸器件与电路。解析： 暂无解析 -
第11题：
填空题微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。正确答案： 三束加工技术,牺牲层技术,外延生长技术解析： 暂无解析 -
第12题：
问答题例举离子注入工艺和扩散工艺相比的优点和缺点。正确答案： 离子注入的优点：
（1）精确控制杂质含量和分布
（2）很好的杂质均匀性
（3）对杂质穿透深度有很好的控制
（4）产生单一离子束
（5）低温工艺
（6）注入的离子能穿透薄膜
（7）无固溶度极限
离子注入的缺点：
（1）高能杂质离子轰击硅原子将对晶体结构产生损伤
（2）注入设备的复杂性解析： 暂无解析 -
第13题：
微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。
- A、干法刻蚀、湿法刻蚀
- B、离子束刻蚀、激光刻蚀
- C、溅射加工、直写加工
- D、以上都可以
正确答案:A -
第14题：
由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。
- A、刻蚀速率
- B、选择性
- C、各向同性
- D、各向异性
正确答案:B -
第15题：
微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。
正确答案:超微机械加工；封接技术；分子装配技术 -
第16题：
单选题微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。Aa.离子束刻蚀、激光刻蚀
Bb.干法刻蚀、湿法刻蚀
Cc.溅射加工、直写加工
正确答案： A解析： 暂无解析 -
第17题：
判断题有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。A对
B错
正确答案： 对解析： 暂无解析 -
第18题：
填空题光刻工艺的分辨率决定于：（）和曝光、显影、刻蚀条件的正确控制。正胶的分辨率（）于负胶的分辨率；光刻胶越薄，分辨率越（）。正确答案： 光刻机的分辨率、光刻胶的种类、光刻胶的厚度、光刻胶的对比度,高,高解析： 暂无解析 -
第19题：
单选题现代集成电路制造工艺中，主流掺杂技术为（）A扩散
B化学机械抛光
C刻蚀
D离子注入
正确答案： A解析： 暂无解析 -
第20题：
单选题实现超微图形成像的（）技术一直是推动集成电路工艺技术水平发展的核心驱动力。A光刻
B刻蚀
C氧化
D溅射
正确答案： D解析： 暂无解析 -
第21题：
问答题简述离子注入工艺相对于热扩散工艺的优缺点。正确答案： 优点：①精确地控制掺杂浓度和掺杂深度；
②可以获得任意的杂质浓度分布；
③杂质浓度均匀性、重复性好；
④掺杂温度低；
⑤沾污少；
⑥无固溶度极限。
缺点：①高能杂质离子轰击硅原子将产生晶格损伤；
②注入设备复杂昂贵。解析： 暂无解析 -
第22题：
问答题离子注入工艺和扩散工艺相比的优点正确答案： 温度低，使用PR遮蔽层（扩散硬遮蔽层），非等向性掺杂轮廓，可独立控制掺杂浓度和结深，批量及单晶圆工艺（扩散为单晶圆工艺）解析： 暂无解析 -
第23题：
填空题集成电路制造工艺技术主要包括：热工艺、（）、光刻、清洗与刻蚀、金属化、表面平坦化。正确答案： 离子注入解析： 暂无解析