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用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶（）。A、ARCB、HMDSC、正胶D、负胶

题目

用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶（）。

  • A、ARC
  • B、HMDS
  • C、正胶
  • D、负胶
相似考题

1.光致抗蚀剂在曝光前对某些溶剂是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物质，这一类抗蚀剂称为负性光致抗蚀剂，由此组成的光刻胶称为负性胶。（）

2.解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？

3.有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。A、负胶受显影液的影响比较小B、正胶受显影液的影响比较小C、正胶的曝光区将会膨胀变形D、使用负胶可以得到更高的分辨率E、负胶的曝光区将会膨胀变形

4.解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶是普遍使用的光刻胶？最常用的正胶是指哪些胶？

更多“用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶（）。A、ARCB、HMDSC、正胶D、负胶”相关问题

  • 第1题：

    在深紫外曝光中，需要使用（）光刻胶。

    • A、DQN
    • B、CA
    • C、ARC
    • D、PMMA

    正确答案:A

  • 第2题：

    感光胶分为正性胶和负性胶，简述它们是如何定义。


    正确答案: （1）负性胶这种胶在曝光前对某些有机溶剂是可溶的，曝光后发生光聚合反应，不溶于有机溶剂。当用它进行光刻时，在衬底表面将得到与光刻掩模版遮光图案完全相反的图形，故称之为负性胶。
    （2）正性胶这种胶在曝光前对某些有机溶剂是不可溶的，而曝光后却变成可溶的，使用它进行光刻时，在衬底表面将得到与光刻掩模版遮光图案完全相同的图形，故称之为正性胶。

  • 第3题：

    晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。

    • A、除去光刻胶中剩余的溶剂
    • B、增强光刻胶对晶片表面的附着力
    • C、提高光刻胶的抗刻蚀能力
    • D、有利于以后的去胶工序
    • E、减少光刻胶的缺陷

    正确答案:A,B,C,E

  • 第4题：

    在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，CA的含义是（）。

    • A、化学增强
    • B、化学减弱
    • C、厚度增加
    • D、厚度减少

    正确答案:A

  • 第5题：

    问答题
    负性和正性光刻胶有什么区别和特点？

    正确答案： 特点：光刻胶都对大部分可见光灵敏，对黄光不灵敏。
    区别：负性光刻胶使用时，未感光部分被适当的溶剂刻蚀，而感光部分留下，所得图形与掩膜版图形相反；正性光刻胶所得图形与掩膜板图案相同。
    解析： 暂无解析

  • 第6题：

    问答题
    简述什么是光刻胶、光刻胶的用途、光刻对光刻胶的要求。

    正确答案： 光刻胶是一种有机化合物，它受紫外线曝光后在显影液中的溶解度发生显著变化，而未曝光的部分在显影液中几乎不溶解。
    光刻胶的用途：①做硅片上的图形模版（从掩膜版转移到硅片上的图形）；
    ②在后续工艺中，保护下面的材料（例如刻蚀或离子注入）。
    光刻对光刻胶的要求：①分辨率高；
    ②对比度好；
    ③敏感度好；
    ④粘滞性好；
    ⑤粘附性好；
    ⑥抗蚀性好；
    ⑦颗粒少。
    解析： 暂无解析

  • 第7题：

    填空题
    光刻工艺的分辨率决定于：（）和曝光、显影、刻蚀条件的正确控制。正胶的分辨率（）于负胶的分辨率；光刻胶越薄，分辨率越（）。

    正确答案： 光刻机的分辨率、光刻胶的种类、光刻胶的厚度、光刻胶的对比度,高,高
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    问答题
    列出并描述I线光刻胶的4种成分。

    正确答案： 1.树脂。光刻胶树脂是一种惰性的聚合物基质，用于把光刻胶中的不同材料聚在一起的粘合剂
    2.感光剂。是光刻胶材料中的光敏成分，它对光形成的辐射能会发生反应
    3.溶剂。使光刻胶保持液体状态，直到它被涂在硅片衬底上
    4.添加剂：是专用化学品，用来控制和改变光刻胶材料的特定化学性质或光刻胶材料的光响应特性
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    填空题
    光刻胶的三种主要成分是：（）。正胶的感光剂是（），曝光使其（），正胶的曝光区在显影后（）； 曝光使负胶的感光剂（），使曝光区在显影后（）。

    正确答案： 感光剂、基体材料和溶剂,重氮醌,长链分子断裂,去除,交联,保留
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    问答题
    简述正胶和负胶区别。

    正确答案： 正胶：曝光的部分易溶解，占主导地位；
    负胶：曝光的部分不易溶解。负胶的粘附性和抗刻蚀性能好，但分辨率低。
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    判断题
    如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    问答题
    解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？

    正确答案： 光刻胶显影是指用化学显影液溶解由曝光造成的光刻胶的可溶解区域，其主要目的是把掩膜版图形准确复制到光刻胶中。
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。

    • A、CA光刻胶对深紫外光吸收小
    • B、CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化
    • C、CA光刻胶在显影液中的可溶性强
    • D、有较高的光敏度
    • E、有较高的对比度

    正确答案:A,B,C,D,E

  • 第14题：

    关于正胶和负胶在显影时的特点，下列说法正确的是（）。

    • A、负胶的感光区域溶解
    • B、正胶的感光区域溶解
    • C、负胶的感光区域不溶解
    • D、正胶的感光区域不溶解
    • E、负胶的非感光区域溶解

    正确答案:B,C,E

  • 第15题：

    关于正胶和负胶的特点，下列说法正确的是（）。

    • A、正胶在显影时不会发生膨胀，因此分辨率高于负胶
    • B、正胶的感光区域在显影时不溶解，负胶的感光区域在显影时溶解
    • C、负胶在显影时不会发生膨胀，因此分辨率不会降低
    • D、正胶的感光区域在显影时溶解，负胶的感光区域在显影时不溶解
    • E、负胶在显影时会发生膨胀，导致了分辨率的降低

    正确答案:A,C,E

  • 第16题：

    问答题
    什么是负胶分辨率的限制，哪种胶应用在亚微米光刻胶中？

    正确答案： 由于显影时的变形和膨胀，负性光刻胶通常只有2μm的分辨率。
    正性光刻胶。
    解析： 暂无解析

  • 第17题：

    判断题
    曝光后烘焙，简称后烘，其对传统I线光刻胶是必需的。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第18题：

    问答题
    什么是正光刻胶，负光刻胶？

    正确答案： 正光刻胶：胶的曝光区在显影中除去，当前常用正胶为DQN，组成为光敏剂重氮醌（DQ），碱溶性的酚醛树脂（N），和溶剂二甲苯等。
    解析： 暂无解析

  • 第19题：

    问答题
    光刻胶正胶和负胶的区别是什么？

    正确答案： 正性光刻胶受光或紫外线照射后感光的部分发生光分解反应，可溶于显影液，未感光的部分显影后仍然留在晶圆的表面，它一般适合做长条形状；负性光刻胶的未感光部分溶于显影液中，而感光部分显影后仍然留在基片表面，它一般适合做窗口结构，如接触孔、焊盘等。
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    问答题
    最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶？

    正确答案： 负光刻胶
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    问答题
    典型的DUV光刻胶曝光剂量的宽容度是多少？

    正确答案： 深紫外光刻胶的曝光宽容度是剂量变化范围在1%左右。
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    填空题
    曝光后显影时感光的胶层没有溶解，没有感光的胶层溶解，这种胶为（）（正/负）胶。

    正确答案： 负
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    问答题
    什么是负光刻胶？

    正确答案： 负光刻胶：胶的曝光区在显影中保留，未曝光区在显影中除去，负胶多由长链高分子有机物组成
    解析： 暂无解析

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