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刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被（）覆盖及保护的部分，以化学作用或是物理作用的方式加以去除，以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。A、二氧化硅B、氮化硅C、光刻胶D、去离子水

题目

刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被（）覆盖及保护的部分，以化学作用或是物理作用的方式加以去除，以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。

  • A、二氧化硅
  • B、氮化硅
  • C、光刻胶
  • D、去离子水
相似考题

1.氩弧焊焊接铝及铝合金是利用氩离子的()作用,去除熔池表面的氧化铝薄膜。

2.简述干法刻蚀的物理作用和化学作用。

3.解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？

4.通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。A、光刻胶B、衬底C、表面硅层D、扩散区E、源漏区

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  • 第1题：

    二氧化硅膜的质量要求有（）。

    • A、薄膜表面无斑点
    • B、薄膜中的带电离子含量符合要求
    • C、薄膜表面无针孔
    • D、薄膜的厚度达到规定指标
    • E、薄膜厚度均匀，结构致密

    正确答案:A,B,C,D,E

  • 第2题：

    光刻和刻蚀的目的是什么？


    正确答案:光刻的目的是将电路图形转移到覆盖于硅片表面的光刻胶上，而刻蚀的目的是在硅片上无光刻胶保护的地方留下永久的图形。即将图形转移到硅片表面。

  • 第3题：

    单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的媒介物。

    • A、氮化硅
    • B、二氧化硅
    • C、光刻胶
    • D、多晶硅

    正确答案:B

  • 第4题：

    由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。

    • A、刻蚀速率
    • B、选择性
    • C、各向同性
    • D、各向异性

    正确答案:B

  • 第5题：

    获得性薄膜是（）

    • A、成釉细胞在釉质表面分泌的薄膜
    • B、结合上皮在釉质表面分泌的薄膜
    • C、唾液蛋白在牙面的沉积物
    • D、黏附于牙面的软性沉积物
    • E、附着在牙面上硬性沉积物

    正确答案:C

  • 第6题：

    单选题
    刻蚀是用化学方法或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（）。
    A

     有选择地形成被刻蚀图形的侧壁形状

    B

     在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形

    C

     变成刻蚀介质以形成一个凹槽

    D

     在大于3微米的情况下，混合发生化学作用与物理作用


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第7题：

    判断题
    光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    填空题
    塑料板、片与薄膜之间是没有严格界限的，通常把厚度在（）称为平膜，（）称为片材，（）称为板材。

    正确答案： 0.25mm以下的,0.25~1mm的,1mm以上的
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    填空题
    物理气相沉积法是利用（）将原料加热，使之汽化或形成（），在基体上冷却凝聚成各种形态的材料（如晶须、薄膜、晶粒等）的方法。其中以（）、（）较为常用。

    正确答案： 高温热源,等离子体,阴极溅射法,真空蒸镀法
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    判断题
    对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    获得性薄膜是（）
    A

    成釉细胞在釉质表面分泌的薄膜

    B

    结合上皮在釉质表面分泌的薄膜

    C

    唾液蛋白在牙面的沉积物

    D

    黏附于牙面的软性沉积物

    E

    附着在牙面上硬性沉积物


    正确答案： E
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    问答题
    解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？

    正确答案： 光刻胶显影是指用化学显影液溶解由曝光造成的光刻胶的可溶解区域，其主要目的是把掩膜版图形准确复制到光刻胶中。
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。

    • A、单晶硅刻蚀
    • B、多晶硅刻蚀
    • C、二氧化硅刻蚀
    • D、氮化硅刻蚀

    正确答案:A

  • 第14题：

    晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。

    • A、除去光刻胶中剩余的溶剂
    • B、增强光刻胶对晶片表面的附着力
    • C、提高光刻胶的抗刻蚀能力
    • D、有利于以后的去胶工序
    • E、减少光刻胶的缺陷

    正确答案:A,B,C,E

  • 第15题：

    大硅片上生长的（）的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性。

    • A、薄膜厚度
    • B、图形宽度
    • C、图形长度
    • D、图形间隔

    正确答案:A

  • 第16题：

    覆膜是指以透明塑料薄膜通过热压覆贴到印刷品表面，起（）和增加光泽的作用。

    • A、改变
    • B、减少
    • C、保护
    • D、美化

    正确答案:C

  • 第17题：

    问答题
    二氧化硅，铝，硅和光刻胶刻蚀分别使用什么化学气体来实现干法刻蚀？

    正确答案： 刻蚀硅采用的化学气体为CF4/O2和CL2.刻蚀二氧化硅采用的化学气体为CHF3. 刻蚀铝采用的化学气体为CL2和BCL2.刻蚀光刻胶采用的化学气体为O2.
    解析： 暂无解析

  • 第18题：

    问答题
    简述什么是光刻胶、光刻胶的用途、光刻对光刻胶的要求。

    正确答案： 光刻胶是一种有机化合物，它受紫外线曝光后在显影液中的溶解度发生显著变化，而未曝光的部分在显影液中几乎不溶解。
    光刻胶的用途：①做硅片上的图形模版（从掩膜版转移到硅片上的图形）；
    ②在后续工艺中，保护下面的材料（例如刻蚀或离子注入）。
    光刻对光刻胶的要求：①分辨率高；
    ②对比度好；
    ③敏感度好；
    ④粘滞性好；
    ⑤粘附性好；
    ⑥抗蚀性好；
    ⑦颗粒少。
    解析： 暂无解析

  • 第19题：

    判断题
    有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    判断题
    在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    判断题
    在各向同性刻蚀时，薄膜的厚度应该大致大于或等于所要求分辨率的三分之一。如果图形所要求的分辨率远小于薄膜厚度，则必须采用各向异性刻蚀。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    问答题
    薄膜在KOH水溶液中的腐蚀速率非常慢，因此常作为硅片定域KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜，而PECVD氮化硅薄膜在KOH水溶液中的腐蚀速率快。怎样才能用已淀积的PECVD氮化硅薄膜作为KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜？

    正确答案： PECVD氮化硅薄膜含H、质地疏松，抗KOH水溶液中的腐蚀性能差。可通过高温退火，使H逸出，薄膜致密化，从而提高抗腐蚀性，就能作为KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜。退火温度约800℃，20min，即LPCVD氮化硅工艺温度。如效果不理想，可升温延长时间。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    问答题
    光刻胶厚度随什么变化？

    正确答案： 粘度越高转速越低，光刻胶就越厚
    解析： 暂无解析

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