功率MOSFET的极限参数指的是( )。A、最大漏极电流B、最小漏极电流C、最大许用漏-源电压D、最小许用漏-源电压

第1题：

当MOSFET的漏极电流较小时，随着温度的温度升高，漏极电流将减小。

第2题：

1、场效应晶体管是用（）控制漏极电流的 。

A．栅源电压

B．漏源电压

C．栅源电流

D．漏源电流

第3题：

1、MOSFET利用（）电压控制（）电流的大小，是（）器件。

A．栅漏，漏极，电流控制电流

B．栅源，漏极，电压控制电流

C．漏源，漏极，电流控制电压

D．栅源，栅极，电流控制电压

第4题：

场效应管主要工作原理是栅源电压对漏极电流的控制作用，但实际上漏极电流还受到漏源电压的影响。

第5题：

PMOS管的电流方向是从漏极到源极，NMOS管的电流方向是从源极到漏极。