niusouti.com

三极管三个区工艺特点各不相同：其中（）区掺杂浓度最高，（）区最薄，（）区结面积最大。备注：用汉字作答，多空答案用逗号隔开。）

题目

三极管三个区工艺特点各不相同：其中（）区掺杂浓度最高，（）区最薄，（）区结面积最大。备注：用汉字作答，多空答案用逗号隔开。）

相似考题

1.三极管哪个区的掺杂浓度最高()A、基区B、发射区C、集电区D、不确定

2.三极管BJT制作时,通常基区掺杂浓度低;发射区的杂质浓度则很高。()

3.渐进多焦眼镜分为四区,分别是()。A.远用区、近用区、棱镜参考区、渐变区B.远用区、近用区、渐变区、像差区C.远用区、近用区、盲区、像差区D.远用区、像差区、近用区、焦外区

4.关于BJT的结构特点说法错误的是()。A、基区很薄且掺杂浓度很低B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D、集电区面积大于发射区面积

更多“三极管三个区工艺特点各不相同：其中（）区掺杂浓度最高，（）区最薄，（）区结面积最大。备注：用汉字作答，多空答案用逗号隔开。）”相关问题

  • 第1题：

    晶体三极管放大作用需满足的条件有()。

    A.内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度

    B.内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度

    C.外部条件，发射结正偏，集电结反偏

    D.外部条件，发射结反偏。集电结反偏


    参考答案：A

  • 第2题：

    关于三极管,不正确的描述是()

    A.基区薄且低掺杂

    B.发射区高掺杂

    C.发射结面积大

    D.集电结面积大


    答案：B

  • 第3题：

    晶体三极管的输出特性的工作状态分为三个区，发射结（）偏压是截止区，集电节（）偏压是饱和区，欲使三极管具有放大作用，应使三极管工作在输出特性上的（）


    正确答案:正向；反向；放大区

  • 第4题：

    三极管有三个极，三个区，三个结。


    正确答案:错误

  • 第5题：

    三极管具有（）的特点。

    • A、发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度
    • B、基区非常薄
    • C、集电区掺杂浓度较小，集电结的面积比发射结的面积大
    • D、以上三项

    正确答案:D

  • 第6题：

    晶体三极管放大作用需满足的条件有（）。

    • A、内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度
    • B、内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度
    • C、外部条件，发射结正偏，集电结反偏
    • D、外部条件，发射结反偏。集电结反偏

    正确答案:A

  • 第7题：

    晶体三极管有两个PN结，分别是（）和（），分三个区域：（）区、（）区和（）区。晶体管的三种工作状态是（）、（）和（）。


    正确答案:发射结；集电结；饱和；放大；截止；放大状态；饱和状态；截止状态

  • 第8题：

    根据晶体管的结构特点，（）区的掺杂浓度最低。（）区的掺杂浓度最高。


    正确答案:基；发射

  • 第9题：

    关于三极管的结构特点，以下说法不正确的为（）

    • A、基区很薄
    • B、基区掺杂浓度最高
    • C、发射区掺杂浓度最高
    • D、发射结的结面积小于集电结的结面积

    正确答案:B

  • 第10题：

    以下属于三极管放大的外部条件是（）

    • A、发射区掺杂浓度高
    • B、集电结反偏
    • C、基区薄且掺杂浓度低
    • D、集电结面积大

    正确答案:B

  • 第11题：

    三极管最薄的区是（）。

    • A、发射区
    • B、集电区
    • C、基区

    正确答案:C

  • 第12题：

    三极管有三个PN结和三个区—发射区、集电区、基区。


    正确答案:错误

  • 第13题：

    晶体管能够放大的内部条件是()。

    A.两个背靠背的PN结

    B.自由电子与空穴都参与导电

    C.有三个掺杂浓度不同的区域

    D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大


    参考答案：D

  • 第14题：

    晶体三极管有NPN和PNP之分，它们有二个PN结。按输入特性分为三个区：即放大区、截止区和饱和区。

    A对

    B错


    错
    略

  • 第15题：

    在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是（）。

    • A、基区
    • B、集电区
    • C、发射区
    • D、饱和区

    正确答案:C

  • 第16题：

    三极管有三个区、（）极、（）个结。


    正确答案:三个；两

  • 第17题：

    晶体三极管有NPN和PNP之分，它们有二个PN结。按输入特性分为三个区：即放大区、截止区和饱和区。


    正确答案:错误

  • 第18题：

    晶体三极管输出特性中包括三个工作区，分别是（）区、（）区、（）区。


    正确答案:放大；截止；饱和

  • 第19题：

    由于发射区和集电区的掺杂浓度以及面积不同，因此三极管的集发射与电极极不能互换使用。


    正确答案:正确

  • 第20题：

    半导体三极管的结构分为三个区，分别是（）区、（）区、（）区。


    正确答案:发射；基；集电

  • 第21题：

    三极管能放大的内因是：发射区掺杂浓度（）、基区宽度（）且杂质浓度（）、集电结面积（）；外部条件是：发射结处于（）偏置，集电结处于（）偏置。


    正确答案:高；窄；低；大；正向；反向

  • 第22题：

    晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。


    正确答案:正确

  • 第23题：

    晶体三极管有（）。

    • A、三个极、三个区、两个结
    • B、两个极、三个区、三个结
    • C、三个极、两个区、三个结
    • D、两个极、三个区、两个结

    正确答案:A

  • 第24题：

    填空题
    由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。

    正确答案： 大,衬底,严重
    解析： 暂无解析

相关内容