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试分析背沟道刻蚀型的5次光刻中过孔的工艺难点。

题目

试分析背沟道刻蚀型的5次光刻中过孔的工艺难点。

相似考题

1.通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。A、光刻胶B、衬底C、表面硅层D、扩散区E、源漏区

2.有机性气体大多产生在下列哪道工艺（）。A、离子注入B、刻蚀C、扩散D、光刻

3.简述采用5次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程的难点与特点。

4.刻蚀工艺有哪两种类型？简单描述各类刻蚀工艺。

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  • 第1题：

    试分析在背沟道阻挡结构的第二次光刻中，采用了背曝光为什么还要采用一次曝光？直接使用一次曝光不行吗？


    正确答案:背曝光是一种自对准的光刻工艺，不需要掩膜版，利用栅线和栅极的金属图形做掩膜进行曝光的工艺。栅线、栅极、存储电容等有金属薄膜的地方上面的光刻胶都没有曝光，其他没有遮挡的地方都被背曝光的紫外光照到，光刻胶的性质发生改变。需要再用一次曝光，利用掩膜版掩膜把栅线和存储电容上面的光刻胶被一次曝光的紫外光照射到，留下阻挡层图像。
    为了形成精确对准且能够恰好在栅极上面的i/sSiNx阻挡层小图形，采用连续两次曝光，先背面曝光再一次曝光相结合的光刻工艺。仅采用一次曝光，对版精度和图形的大小都要受到限制，工艺难度大。

  • 第2题：

    简述背沟道刻蚀型结构的优缺点。


    正确答案:优点是光刻次数少，材料成本低，工艺节拍短；缺点是刻蚀选择比小，a-Si：H层相应要做得厚些，一般为1500~2000Å，工艺难度大，厚度控制要求严格。

  • 第3题：

    微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。

    • A、干法刻蚀、湿法刻蚀
    • B、离子束刻蚀、激光刻蚀
    • C、溅射加工、直写加工
    • D、以上都可以

    正确答案:A

  • 第4题：

    晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。

    • A、除去光刻胶中剩余的溶剂
    • B、增强光刻胶对晶片表面的附着力
    • C、提高光刻胶的抗刻蚀能力
    • D、有利于以后的去胶工序
    • E、减少光刻胶的缺陷

    正确答案:A,B,C,E

  • 第5题：

    在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。

    • A、刻蚀
    • B、氧化
    • C、淀积
    • D、光刻

    正确答案:D

  • 第6题：

    问答题
    二氧化硅，铝，硅和光刻胶刻蚀分别使用什么化学气体来实现干法刻蚀？

    正确答案： 刻蚀硅采用的化学气体为CF4/O2和CL2.刻蚀二氧化硅采用的化学气体为CHF3. 刻蚀铝采用的化学气体为CL2和BCL2.刻蚀光刻胶采用的化学气体为O2.
    解析： 暂无解析

  • 第7题：

    判断题
    有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    问答题
    简述IC芯片工艺过程中包括的刻蚀工艺过程

    正确答案： （1）图形化和整面全*区刻蚀。
    （2）单晶硅刻蚀用于浅槽隔离。
    （3）多晶硅刻蚀用于界定栅和局部互连线。
    （4）氧化物刻蚀界定接触窗和金属层间接触孔。
    （5）金属刻蚀形成金属互连线。
    （6）氧化层CMP停止在氮化硅层后的氮化硅剥除工艺。
    （7）电介质的非等向性回刻蚀形成侧壁空间层。
    （8）钛金属硅化物形成合金之后的钛剥离。
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    判断题
    在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    判断题
    最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    填空题
    微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。

    正确答案： 三束加工技术,牺牲层技术,外延生长技术
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    填空题
    集成电路制造工艺技术主要包括：热工艺、（）、光刻、清洗与刻蚀、金属化、表面平坦化。

    正确答案： 离子注入
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    试分析4次光刻中第2次光刻的工艺方案。


    正确答案:在4次光刻中，第二次光刻有源岛和第三次光刻的源漏电极合为一次光刻，为4次光刻的第二次光刻，光刻次数减少，但工艺难度大大增大。
    第二次光刻的工艺流程概括为：连续沉积薄膜→涂胶→多段式调整掩膜版曝光→显影→湿法刻蚀→干法刻蚀及灰化→再湿刻和再干法刻蚀。

  • 第14题：

    实现超微图形成像的（）技术一直是推动集成电路工艺技术水平发展的核心驱动力。

    • A、光刻
    • B、刻蚀
    • C、氧化
    • D、溅射

    正确答案:A

  • 第15题：

    光刻和刻蚀的目的是什么？


    正确答案:光刻的目的是将电路图形转移到覆盖于硅片表面的光刻胶上，而刻蚀的目的是在硅片上无光刻胶保护的地方留下永久的图形。即将图形转移到硅片表面。

  • 第16题：

    由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。

    • A、刻蚀速率
    • B、选择性
    • C、各向同性
    • D、各向异性

    正确答案:B

  • 第17题：

    微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。


    正确答案:超微机械加工；封接技术；分子装配技术

  • 第18题：

    单选题
    微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。
    A

    a.离子束刻蚀、激光刻蚀

    B

    b.干法刻蚀、湿法刻蚀

    C

    c.溅射加工、直写加工


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第19题：

    填空题
    光刻工艺的分辨率决定于：（）和曝光、显影、刻蚀条件的正确控制。正胶的分辨率（）于负胶的分辨率；光刻胶越薄，分辨率越（）。

    正确答案： 光刻机的分辨率、光刻胶的种类、光刻胶的厚度、光刻胶的对比度,高,高
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    单选题
    在较先进的集成电路制造工艺中，通常采（）来实现掺杂。
    A

    刻蚀

    B

    离子注入

    C

    光刻

    D

    金属化


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    单选题
    实现超微图形成像的（）技术一直是推动集成电路工艺技术水平发展的核心驱动力。
    A

    光刻

    B

    刻蚀

    C

    氧化

    D

    溅射


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    问答题
    光刻和刻蚀的目的是什么？

    正确答案： 光刻的目的是将电路图形转移到覆盖于硅片表面的光刻胶上，而刻蚀的目的是在硅片上无光刻胶保护的地方留下永久的图形。即将图形转移到硅片表面。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    问答题
    什么是光刻加工技术？试简述光刻加工的原理和工艺流程。

    正确答案： 光刻加工技术就是用光刻加工方法，刻蚀出规定的图形的技术。
    光刻加工是用照相复印的方法将光刻掩膜上的图形印制在涂有光致抗蚀剂（光刻胶）的
    薄膜或基材表面，然后进行选择性腐蚀，刻蚀出规定的图形。
    工艺流程是：涂胶、曝光、显影、坚膜、腐蚀及去胶。
    解析： 暂无解析

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