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晶体管的内部结构特点是：发射区杂质浓度最低，基区杂质浓度最高。

题目

晶体管的内部结构特点是：发射区杂质浓度最低，基区杂质浓度最高。

相似考题

1.三极管哪个区的掺杂浓度最高()A、基区B、发射区C、集电区D、不确定

2.晶体管的内部放大条件是:发射区重掺杂,基区轻掺杂且宽度很窄,集电极面积大等。()

3.NPN型晶体管的发射区是()型半导体,集电区是()型半导体,基区是()型半导体。

4.三极管BJT制作时,通常基区掺杂浓度低;发射区的杂质浓度则很高。()

更多“晶体管的内部结构特点是：发射区杂质浓度最低，基区杂质浓度最高。”相关问题

  • 第1题：

    因为晶体管发射区的杂质浓度比基区的杂质浓度小得多,所以能用两个二极管反向连接起来代替晶体管。()

    此题为判断题(对，错)。


    参考答案：错

  • 第2题：

    晶体管具备电流放大的内部条件是()。

    A.基区薄而其杂质浓度低

    B.基区杂质浓度高

    C.降低发射区杂质浓度

    D.加强电子在基区的复合


    参考答案：A

  • 第3题：

    扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。()

    此题为判断题(对，错)。


    答案：错

  • 第4题：

    晶体管的内部结构分为三个区，即发射区、基区和集电区；两个结为发射和集电结。


    正确答案:正确

  • 第5题：

    每一类晶体管都是由基区、发射区和（）三个不同的导电区域构成的。


    正确答案:集电区

  • 第6题：

    晶体管具备电流放大的内部条件是（）。

    • A、基区薄而其杂质浓度低
    • B、基区杂质浓度高
    • C、降低发射区杂质浓度
    • D、加强电子在基区的复合

    正确答案:A

  • 第7题：

    造成大电流时晶体管电流放大系数下降的因素有____、集电结空间电荷限制的效应、____。（）

    • A、基区电导调制效应，发射区有偏压效应
    • B、基区有偏压效应，发射区电导调制效应
    • C、基区电导调制效应，基区有偏压效应
    • D、发射区有偏压效应，基区有偏压效应

    正确答案:C

  • 第8题：

    在杂质半导体中，少数载流子的浓度与（）有很大关系。

    • A、温度
    • B、掺杂工艺
    • C、杂质浓度
    • D、晶体管缺陷

    正确答案:A

  • 第9题：

    在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）

    • A、温度
    • B、掺杂工艺
    • C、杂质浓度
    • D、晶体管缺陷

    正确答案:A

  • 第10题：

    三极管能放大的内因是：发射区掺杂浓度（）、基区宽度（）且杂质浓度（）、集电结面积（）；外部条件是：发射结处于（）偏置，集电结处于（）偏置。


    正确答案:高；窄；低；大；正向；反向

  • 第11题：

    判断题
    扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    填空题
    在异质结双极晶体管中，发射区的禁带宽度（）于基区的禁带宽度，从而使异质结双极晶体管的（）大于同质结双极晶体管的。

    正确答案： 大,注入效率
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    晶体管的基区之所以做得很薄,是为了减少电子和空穴在基区的复合机会,从而使由发射区进入基区的载流子,绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。()

    此题为判断题(对，错)。


    参考答案：对

  • 第14题：

    晶体管的内部结构分为三个区,即发射区、基区和集电区;两个结为发射和集电结。()

    此题为判断题(对，错)。


    参考答案：正确

  • 第15题：

    第二类回火脆性产生的原因是（）的缘故。

    • A、晶粒边界杂质浓度增高
    • B、晶粒边界杂质浓度降低
    • C、晶粒内部杂质浓度增高
    • D、晶粒内部杂质浓度降低

    正确答案:A

  • 第16题：

    晶体管分为三层分别为（）

    • A、发射区
    • B、放大区
    • C、集电区
    • D、基区
    • E、扩张区

    正确答案:A,C,E

  • 第17题：

    晶体管热噪声主要存在于（）电阻内。

    • A、基区
    • B、发射区
    • C、集电区
    • D、发射区和集电区

    正确答案:A

  • 第18题：

    当集电结空间电荷限制效应是限制晶体管大电流特性的主要原因时，（）可以提高晶体管最大工作电流。

    • A、增大基区掺杂浓度
    • B、减小基区宽度
    • C、减小发射结面积
    • D、增大集电区杂质浓度

    正确答案:D

  • 第19题：

    结晶溶液中，杂质对结晶的影响有（）。

    • A、杂质浓度低，对结晶无明显影响
    • B、杂质浓度高，影响结晶纯度
    • C、杂质浓度高，改变晶习
    • D、杂质浓度高，影响结晶的理化性质和生物活性

    正确答案:C

  • 第20题：

    三极管的放大作用一方面要满足内部条件，即要求（）杂质浓度要远大于（）杂质浓度，同时基区厚度要很（）；另一方面要满足外部条件，即发射结要（）偏置、集电结要（）偏置。


    正确答案:发射区；基区；小；正向；反向

  • 第21题：

    扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。


    正确答案:错误

  • 第22题：

    半导体三极管工作过程中（）。

    • A、发射区杂质浓度大于基区杂质浓度；
    • B、发射区杂质浓度小于基区杂质浓度；
    • C、发射区杂质浓度等于基区杂质浓度；
    • D、发射区杂质浓度大于集电区杂质浓度。

    正确答案:A

  • 第23题：

    单选题
    结晶溶液中，杂质对结晶的影响有（）。
    A

    杂质浓度低，对结晶无明显影响

    B

    杂质浓度高，影响结晶纯度

    C

    杂质浓度高，改变晶习

    D

    杂质浓度高，影响结晶的理化性质和生物活性


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    填空题
    每一类晶体管都是由基区、发射区和（）三个不同的导电区域构成的。

    正确答案： 集电区
    解析： 暂无解析

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