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TFT中文准确解释是()A.向列型B.超扭曲向列型C.双层超扭曲向列型D.薄膜晶体管型

题目
TFT中文准确解释是()

A.向列型

B.超扭曲向列型

C.双层超扭曲向列型

D.薄膜晶体管型

相似考题

1.关于业务流模板TFT,以下描述错误的是哪项()。A.每个承载都有相应的TFT模板B.PGW保存DL TFT,将SDF绑定到下行EPS承载C.UE保存UL TFT,将SF绑定到上行EPS承载D.TFT只能匹配某些准则的分组

2.MRP的中文解释是批次需求计划。MRP的中文解释是批次需求计划。()此题为判断题(对，错)。

3.TFT(Thin Film Transistor)中文准确解释是()。A.向列型B.超扭曲向列型C.双层超扭曲向列型D.薄膜晶体管型

4.大尺寸是TFT－LCD产业发展的方向,未来TFT－LCD产品的竞争主要集中在哪些方面?

参考答案和解析
参考答案：D
更多“TFT中文准确解释是() ”相关问题

  • 第1题：

    CODEC的中文准确解释是()

    A.数字音频

    B.解码器

    C.数字音频编码解码器

    D.译码器


    参考答案：C

  • 第2题：

    TFT-LCD显示是在（）彩色显示。

    • A、TN
    • B、STN
    • C、其他

    正确答案:A

  • 第3题：

    分析n沟道2T1C驱动电路的缺点？并解释为什么a-Si：H TFT驱动OLED会有困难？


    正确答案:n沟道2T1C驱动电路中，T2管的栅源电压VGS由信号电压和OLED电压决定。该电路有两个缺点：
    1）一部分信号电压施加到了OLED上，而不是全部施加到驱动TFT的栅极上。要获得同p沟道相同的像素电流，需要更高的信号电压；
    2）驱动TFT的栅源电压要受到OLED性质的影响，可能会随着制造工艺中OLED器件的不同而变化，也可能随着OLED工作时间而变化。
    a.Si：H TFT是n沟道的薄膜晶体管，不能制作出p沟道的TFT，要驱动OLED有一定的困难。而LPTS TFT可以制作成p沟道或者n沟道TFT，驱动OLED比较容易。底发射型OLED是传统的结构，对OLED制备工艺的难度要求较低，OLED的性能好。

  • 第4题：

    CODEC的中文准确解释是（）

    • A、数字音频
    • B、解码器
    • C、数字音频编码解码器
    • D、译码器

    正确答案:C

  • 第5题：

    HLR的中文解释为本地位置寄存器；VLR的中文解释为（）。


    正确答案:访问位置寄存器

  • 第6题：

    TFT中文准确解释是（）

    • A、向列型
    • B、超扭曲向列型
    • C、双层超扭曲向列型
    • D、薄膜晶体管型

    正确答案:D

  • 第7题：

    MODEM的中文准确解释是（）

    • A、解调器
    • B、调制解调器
    • C、调制器
    • D、解调调制器

    正确答案:B

  • 第8题：

    单选题
    ISDN的中文准确解释是（）
    A

    视频网络

    B

    多媒体网络

    C

    综合业务数字

    D

    综合业务数字网


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    单选题
    ECC中文准确解释为（）
    A

    错误检查

    B

    错误纠正

    C

    自动错误检查与纠正

    D

    综合性能


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    单选题
    CODEC的中文准确解释是（）
    A

    数字音频

    B

    解码器

    C

    数字音频编码解码器

    D

    译码器


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    填空题
    TBA的中文解释是（）。

    正确答案： 利乐无菌砖
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    TFT（Thin Film Transistor）中文准确解释是（）。
    A

    向列型

    B

    超扭曲向列型

    C

    双层超扭曲向列型

    D

    薄膜晶体管型


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    ECC中文准确解释为()

    A.错误检查

    B.错误纠正

    C.自动错误检查与纠正

    D.综合性能


    参考答案：C

  • 第14题：

    什么叫TFT技术？TFT技术的主要特点是什么？


    正确答案: TFT技术是20世纪90年代发展起来的、采用新材料和新工艺的大规模半导体全集成电路制技术，是液晶（LC.、无机和有机薄膜电致发光（EL和OEL）平板显示器的基础。
    TFT技术的主要特点有：
    ①大面积。自十几年前第一代大面积玻璃基板（300mm×400mm）TFTLCD生产线投产，到近年来投入运行的产品，玻璃基板的面积已经扩大到（950mm×1200mm），原则上面积的限制已经不是问题。
    ②高集成度。用于液晶投影的1.3inTFT芯片的分辨率为XGA，含有百万个像素。分辨率为SXGA（1280×1024）的16.1英寸的TFT阵列非晶体硅的膜厚只有50nm，包括TABONGLASS和SYSTEMONGLASS技术在内，其IC的集成度、对设备和供应技术的要求，难度都超过传统的LSI。
    ③功能强大。TFT最早作为矩阵选址电路，改善了液晶的光阀特性。对于高分辨率显示器，通过0~6V范围的电压调节（典型值0.2~4V），实现了对像素的精确控制，从而使LCD实现高质量、高分辨率显示成为可能。TFTLCD是人类历史上第一种在显示质量上超过CRT的平板显示器。现在，已经开始把驱动IC集成到玻璃基板上，整个TFT的功能将更加强大，这是传统的大规模半导体集成电路所无法比拟的。
    ④低成本。玻璃基板和塑料基板从根本上解决了大规模半导体集成电路的成本问题，为推广应用开拓了广阔的空间。
    ⑤工艺灵活。除了采用溅射、CVD（化学气相沉积）和MCVD（分子化学气相沉积）等传统工艺成膜以外，激光退火技术也开始应用，既可以制作非晶膜、多晶膜，也可以制造单晶膜。不仅可以制作硅膜，也可以制作其他Ⅱ-Ⅵ族、Ⅲ-Ⅴ族半导体薄膜。
    ⑥应用领域广泛。以TFT技术为基础的液晶平板显示器是信息社会的支柱产业，其技术可应用到正在迅速成长中的薄膜晶体管有机电致发光（TFT-OLED.平板显示器中。

  • 第15题：

    简述a-Si：H TFT驱动OLED面临的困难，实现a-Si：H TFT驱动的解决办法？


    正确答案:1）OLED驱动要求TFT具有更大的开态电流。非晶硅的载流子迁移率低，亮度不够。开关TFT的关态电流不能超过10-12A，对非晶硅来说是相当苛刻的要求。
    2）阈值电压随时间漂移大，稳定性差，会出现显示图像不均匀现象。
    3）为了防止阈值电压变化导致驱动电流的变化，驱动器件最好是工作在饱和区的p沟道器件。非晶硅技术不能制造出合适的p沟道TFT。
    4）非晶硅技术存在着过高的光敏性。

  • 第16题：

    TFT-LCD


    正确答案: 薄膜晶体管液晶显示器，是一种有源矩阵类型液晶显示器（AM-LCD.，具有超薄体形、低功耗、低辐射、无闪烁、完全物理平面、低反光、清晰的字符显示等优点。

  • 第17题：

    ECC中文准确解释为（）

    • A、错误检查
    • B、错误纠正
    • C、自动错误检查与纠正
    • D、综合性能

    正确答案:C

  • 第18题：

    ISDN的中文准确解释是（）

    • A、视频网络
    • B、多媒体网络
    • C、综合业务数字
    • D、综合业务数字网

    正确答案:D

  • 第19题：

    薄膜晶体管型液晶显示器，又称为“真彩”液晶显示器，其英文简写是（）。

    • A、TFT-LCD
    • B、TFT-LED
    • C、STN-LCD
    • D、DSTN-LCD

    正确答案:A

  • 第20题：

    单选题
    MODEM的中文准确解释是（）
    A

    解调器

    B

    调制解调器

    C

    调制器

    D

    解调调制器


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    单选题
    TFT中文准确解释是（）
    A

    向列型

    B

    超扭曲向列型

    C

    双层超扭曲向列型

    D

    薄膜晶体管型


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    名词解释题
    TFT

    正确答案： TFT（Thin Film Transistor）即薄膜场效应晶体管，也称为“真彩”（TFT）。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    填空题
    HLR的中文解释为本地位置寄存器；VLR的中文解释为（）。

    正确答案： 访问位置寄存器
    解析： 暂无解析

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