当被试品具有较大电容时，tanδ测试只能反映整体的绝缘状况。A对B错

第1题：

当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时，介质损耗P与tanδ成反比。

A对

B错

第2题：

当试品绝缘中存在气隙时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈闭合的环状曲线。

A对

B错

第3题：

西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。

第4题：

当试品绝缘受潮时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈开口环曲线。

第5题：

当被试品具有较大电容时，tanδ测试不能有效反映试品中可能存在的局部缺陷。

第6题：

当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时，介质损耗P与tanδ成反比。

第7题：

温度对tanδ测试结果具有较大影响，一般同一被试设备，tanδ随温度的升高而升高。

第8题：

测量介损tgδ和测量绝缘电阻一样，试品的表面泄漏对测量结果有一定影响，并且（）。

• A、试品电容量较大，影响较小
• B、试品电容量较大，影响较大
• C、与试品电容量无关

第9题：

第10题：

第11题：

第12题：

第13题：

当被试品具有较大电容时，tanδ测试不能有效反映试品中可能存在的局部缺陷。

A对

B错

第14题：

当被试品本身电容量较大时，可采用串并联谐振法进行交流耐压试验。

第15题：

当被试品具有较大电容时，tanδ测试只能反映整体的绝缘状况。

第16题：

当试品绝缘中存在气隙时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈闭合的环状曲线。

第17题：

tanδ能反映绝缘的整体性缺陷和小电容试品中的严重局部性缺陷。

第18题：

tanδ测试时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈开口环曲线，则试品属于（）。

• A、良好绝缘
• B、绝缘中存在气隙
• C、绝缘受潮

第19题：

具有较大电感或对地电容的被试品在测量直流电阻后，应对被试品进行（）。

• A、隔离
• B、短路
• C、接地放电

第20题：

第21题：

第22题：

第23题：