问题:二氧化硅的制备方法很多,其中最常用的是高温()、()淀积、PECVD淀积。...
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问题:热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关?淀积速率的测量采用什么办法?...
问题:例举出硅片厂中使用的五种通用气体。...
问题:例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。...
问题:大容量可编程逻辑器件分为()和()。...
问题:厚膜元件材料的粉末颗粒越小、表面形状謦复杂,比表面积就越大,则表面自由能也就越高,对烧结越有利。()...
问题:衬底清洗过程包括哪几个步骤?...
问题:半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。比较通用的则是根据其化学组成可分为()半导体、()半导体、固溶半导体三大类。...
问题:化学清洗中是利用硝酸的强()和强()将吸附在硅片表面的杂质除去。...
问题:什么是固相外延(SPE)及固相外延中存在的问题?...
问题:哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅?描述刻蚀多晶硅的三个步骤。...
问题:给出半导体质量测量的定义。例出在集成电路制造中12种不同的质量测量。...
问题:离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是()和()。...
问题:半导体分立器件、集成电路对外壳的主要要求之一是:良好的热性能。外壳应有小的(),使芯片的热量有效地散逸出去,保证器件在正常结温下工作。A、热阻B、阻抗C、结构参数...
问题:厚膜混合集成电路的基片种类很多,目前常用的有:氧化铝陶瓷,(),...
问题:例举并描述光刻中使用的两种曝光光源。...
问题:在温度相同的情况下,制备相同厚度的氧化层,分别用干氧,湿氧和水汽氧化,哪个需要的时间最长?()A、干氧B、湿氧C、水汽氧化D、不能确定哪个使用的时间长...
问题:对标准单元设计EDA系统而言,标准单元库应包含以下内容:()、和()、()、()。...
问题:什么是特征尺寸CD?...
问题:二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行()扩散。A、预B、再C、选择...